اتصال بیس مشترک

در الکترونیک برای ساخت تقویت‌کننده از روش‌های مختلفی استفاده می‌شود که از جملهٔ آن‌ها استفاده از ترانزیستور BJT است، که خود شامل شیوه‌های مختلفی برای اتصال ورودی و خروجی به سه سر ترانزیستور است. یکی از این روش‌ها، روش اتصال بیس مشترک است.

از این نوع اتصال عموماً برای تقویت ولتاژ یا تقویت‌کننده میانگیر جریان استفاده می‌شود.

مشخصات ویرایش

	تعریف	مقدار	مقدار تقریبی	شرایط تقریب
بهره ولتاژ مدار باز	${A_{v}}={\begin{matrix}{v_{\mathrm {o} } \over v_{\mathrm {i} }}\end{matrix}}{\Big \|}_{R_{L}=\infty }$	${\begin{matrix}{\frac {(g_{m}r_{\mathrm {o} }+1)R_{C}}{R_{C}+r_{o}}}\end{matrix}}$	${\begin{matrix}g_{m}R_{C}\end{matrix}}$	$r_{o}\gg R_{C}$
بهره جریان اتصال کوتاه	$A_{i}={\begin{matrix}{i_{\mathrm {o} } \over i_{\mathrm {i} }}\end{matrix}}{\Big \|}_{R_{L}=0}$	${\begin{matrix}{\frac {r_{\pi }+\beta r_{o}}{r_{\pi }+(\beta +1)r_{o}}}\end{matrix}}{\begin{matrix}\end{matrix}}$	$1$	$\beta \gg 1$
مقاومت ورودی	$R_{\mathrm {in} }={\begin{matrix}{\frac {v_{i}}{i_{i}}}\end{matrix}}$	${\begin{matrix}{\frac {(r_{o}+R_{C}\\|R_{L})r_{E}}{r_{o}+r_{E}+{\frac {R_{C}\\|R_{L}}{\beta +1}}}}\end{matrix}}$	$r_{E}\left(\approx {\frac {1}{g_{m}}}\right)$	$r_{o}\gg R_{C}\\|R_{L}\ \ \left(\beta \gg 1\right)$
مقاومت خروجی	$R_{\mathrm {out} }={\begin{matrix}{\frac {v_{o}}{-i_{o}}}\end{matrix}}{\Big \|}_{v_{s}=0}$	$R_{C}\\|\{[1+g_{m}(r_{\pi }\\|R_{S})]r_{o}+(r_{\pi }\\|R_{S})\}$	$R_{C}\|\|r_{o}$ $R_{C}\|\|\left[(r_{\pi }\|\|R_{S})(1+g_{m}r_{o})\right]$	$\ \ R_{S}\ll r_{E}$ $\ \ R_{S}\gg r_{E}$