پیوند پی–ان
پیوند P-N (به انگلیسی: P-N junction) اتصال یک نیم‌رسانای مثبت با یک نیم‌رسانای منفی است. این پیوند را می‌توان با روش کاشت یون، نفوذ دادن آلاینده در نیم‌رسانا، یا ارونشست ساخت.
این نوع پیوند در ساخت دیود، دیود نورانی، ترانزیستور، ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سلول خورشیدی کاربرد دارد.
گرچه هر دو نیم‌رسانای مثبت و منفی بکاررفته در پیوند رساناهای خوبی هستند، اما محل پیوند، نارساناست. نارسانایی به این خاطرست که در نیم‌رسانای مثبت، حفره‌های الکترونی با بار مثبت و در نیم‌رسانای منفی، الکترون‌ها با بار منفی حامل بار الکتریکی‌اند و در محل پیوند این دو گونه حامل بار به هم رسیده و همدیگر را خنثی می‌کنند. لذا به این ناحیه که خالی از بار الکتریکی است، ناحیه تخلیه می‌گویند.
پیوند شاتکی گونه‌ای از پیوند P-N است که در آن فلزی نقش نیم‌رسانای منفی را بازی می‌کند.
جستارهای وابسته ویرایش
منابع ویرایش
- مشارکت‌کنندگان ویکی‌پدیا. «p–n junction». در دانشنامهٔ ویکی‌پدیای انگلیسی، بازبینی‌شده در ۲۲ اوت ۲۰۱۴.
| در ویکیانبار پروندههایی دربارهٔ پیوند پی–ان موجود است. |