حافظه رایانه: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
جز ویکیسازی رباتیک(۶.۸) >حافظه خواندنی/ نوشتنی، آلیاژهای آلومینیوم، میدان الکتریکی، خواندن و نوشتن، [[مدارها... |
جز ویکیسازی رباتیک(۷.۵) >نوار کاست، تخته سیاه، قطع برق+مرتب+تمیز (۸.۵) |
||
خط ۲:
{{ویکیسازی}}
در [[علوم رایانه]]، به هر وسیله که توانایی نگهداری اطلاعات را داشته باشد، '''حافظه''' میگویند. حافظه یکی از قسمتهای ضروری و اساسی یک [[رایانه]] به شمار میرود. همان طور که انسان برای نگهداری اطلاعات مورد نیاز خود علاوه بر حافظه درونی خویش از ابزارهای گوناگون دیگری همانند کاغذ، [[تخته
* '''«حافظه اصلی»''' که به آن '''«حافظه اولیه»''' یا '''«حافظه درونی»''' نیز میگویند .
* '''«حافظه جانبی»''' که به آن '''«حافظه ثانویه»''' یا '''«حافظه کمکی»''' نیز میگویند .
خط ۱۲:
=== حافظه خواندنی/ نوشتنی ===
همان طور که از نام این حافظه پیداست، [[واحد پردازنده مرکزی|پردازنده]] میتواند هم در این نوع حافظه بنویسد و هم از آنها بخواند. به طور کلی، برنامهها (به انگلیسی: Codes)، دستورالعملها (به انگلیسی: Instructions)، و دادههایی (به انگلیسی: Data) در این حافظه قرار میگیرند که پردازشگر بخواهد بر روی آنها کاری انجام دهد. به این نوع حافظه ها، ''حافظه فَرّار'' نیز میگویند زیرا با [[قطع
:* '''(DRAM (Dynamic RAM'''
خط ۳۷:
نام دیگری که در چنین مواردی برای ROM مورد استفاده قرار میگیرد، واژه PLE خلاصه شده عبارت Programmable Logic Element میباشد. این واژه به این دلیل برای نامیدن ROM مورد استفاده قرار میگیرد، که ROM به صورت اصولی یک تراشه تولید توابع منطقی نیز میباشد.
:یک ابزار نرمافزاری به همین منظور، یعنی کمک به پیاده سازی مدارهای منطقی به کمک ROM زمانی به بازار عرضه گردید که به نام'''' PLEASM ''''که خلاصه شده Programmable Logic Element Assembler میباشد، نامیده میشد. این ابزار خصوصیات طرح منطقی مورد نظر را به صورت معادلات دودویی و یا توابع حسابی قبول کرده و خروجی خود را به صورت جدول درستی که مستقیماً قابل پیاده شدن بر روی ROM و یا به عبارتی PLE باشد آماده می نمود. ROMها را در ابعاد و سرعتها و تکنولوژیها گوناگون می سازند. انواع دو قطبی BIPOLAR آن با زمان دسترسی حدود ۱۰ [[نانو]] ثانیه و گونههای CMOS آن با حداقل زمان دسترسی تقریباً چندین برابر این مقدار در بازار وجود دارند. انواع قابل برنامه ریزی (PROM ) نیز وجود دارند که بعضی به توسط فیوزها برنامه ریزی میشوند و قابل پاک شدن نیستند و بعضیها هم با [[پرتو فرابنفش]] قابل پاک شدن میباشند که به آنها EPROM گفته میشود.
در حافظههای PROMتمام ﺑیﺖهای کلمات در ابتدا برابر ۱ هستند.برای داشتن صفر در کلمات حافظه می
به اﻳن ترﺗﻴب کاربر متناسب با ﻧﻴاز در آزماﻳﺸگاه خودPROM را برنامه ریزی میکندو در هر کلمه حافظه PROMاطلاعات مورد نظر را قرار میدهد.
گونههای دیگری نیز وجود دارند که از لحاظ تکنیک ساخت و طرز کار ما بین ROM و RAM قرار میگیرند که از آن جمله میتوان از:
خط ۱۶۶:
|}
نوعی از EPROMها وجود دارند که به نام'''' OTP ''''کوتاه شده عبارت One Time Programmable نامیده میشوند. این نوع همانطور که از نام آنها پیدا است فقط یک بار میتوانند برنامه ریزی شوند. اینها معادل EPROM هایی با همان شماره قطعه میباشند با این تفاوت که فاقد پنجره شفاف بوده و جعبه آنها ازپلاستیک یک تکه ساخته شده و طبیعتاً ارزانتر از EPROMهای پنجره دار (قابل پاک شدن) میباشند. پنجره شفافی که در EPROMهای معمولی وجود دارد از جنس [[کوارتز]] بوده و در موقع پاک کردن نور فرابنفش از آن عبور کرده و با سطح تراشه برخورد می نماید و در صورتی که شدت و زمان [[تابش پرتو]] کافی باشد سبب پاک شدن تراشه خواهد شد.
برای پاک نمودن می باﻳﺴت
:درﻳﻚ EPROM استانداردﻋﻤﻠیات بالا از راه پرتو فرابنفش با فرکانس ۲۵۳/۷انجام میگردد. برای حذف ازحافظهEPROM، باﻳﺪ قطعه را از محل خارج کرده و به مدت چند دﻗﻴﻘﻪ زیر پرتو فرابنفش دستگاه پاک کننده قرار داداز طرﻳﻖ ﺩﺭیچه کوارتز کلیه بارهای روی تراشه ناپدﻳﺪشده وآرایهORرا به حالت برنامه رﻳﺰی نشده اش باز می گرداند، اصطلاحاً اطلاعا ت EPROMپاک شده است. گر چه اﻳن بارها به اندازهٔ ﻓیوزها داﺋمی ﻧﻳﺴتندولی برای مدت ۱۰ سال محبوس باقی می مانند.
شکل زیر نشان دهنده شمای ساده شده یک سلول از حافظه نوع Flash میباشد. ساختمان این سلول بجز در مورد نحوه پاک شوندگی شباهت به سلول EPROM دارد و طریقه به تله انداختن [[بار الکتریکی]] در دریچه شناور نیز شبیه حالت EPROM میباشد. در موقع برنامه ریزی ولتاژ دریچه کنترل و Drain بالا برده شده و Source به سمت Drain شده و در آنجا بعضی از این الکترونها پر انرژی شده و شباهت به الکترون آزاد پیدا میکنند و در اینجا این الکترونها تحت اثر ولتاژ مثبت اعمال شده از سوی دریچه کنترل به سمت آن جذب شده و در ضمن عبور از منطقه اکسید نازک در دریچه شناور به تله می افتند. الکترونهای به تله افتاده در دریچه شناور یک [[میدان الکتریکی]] ایجاد می نمایند که این میدان سبب قطع شدن ترانزیستور شده و سلول مربوطه به وضعیت صفر منطقی خواهد رفت.
خط ۱۹۱:
در این نوع حافظه ها، میتوان اطلاعات را به صورت نقاط مغناطیس شده نوشت ( ذخیره کرد) و یا خواند ( باز یابی نمود). این اعمال، به وسیله شاخکهای خاصی که به آنها هد میگویند، انجام می پذیرد. هد از یک [[سیم پیچ]] هسته دار کوچک تشکیل شده است .
'''الف ) نوار مغناطیسی :''' نوار مغناطیسی از یک نوار پلاستیکی که روی آن از یک ماده مغناطیس شونده مثل [[اکسید آهن]] پوشانده اند، تشکیل شده است (شبیه نوار ضبط صوت با پهنای بیشتر ). این نوارها امروزه به صورت کارتریج و در گذشته به صورت حلقهای مورد استفاده قرار میگرفته است. دسترسی به اطلاعات این حافظهها دسترسی ترتیبی است .یعنی به ترتیب اطلاعات باید بگذرند تا به اطلاعات مورد نظر برسیم، مثل [[نوار کاست]].
'''ب)دیسک مغناطیسی :''' دیسکهای مغناطیسی صفحات گرد پلاستیکی، فلزی یا سرامیکی هستند که سطح انها به وسیله ماده مغناطیس شونده مثل اکسید آهن پوشانیده میشود .اگر جنس دیسک مغناطیسی شده، پلاستیک باشد به آن [[دیسک نرم]] ( Floppy Disk) و اگر فلز یا سرامیک باشند به آن دیسک سخت (Hard Disk) میگویند. دسترسی در این دیسکها مستقیم است یعنی هر اطلاعاتی را که خواستیم بتوانیم آن را از روی سطح دیسک انتخاب کنیم. همانند دسترسی به تراکهای یک MP۳. که سرعت اینگونه دسترسی بالاست.
خط ۲۱۳:
[[رده:ذخیرهسازی دادهها]]
[[رده:مدیریت حافظه]]
[[رده:یکاهای اطلاعات]]▼
[[رده:ویکیسازی رباتیک]]
▲[[رده:یکاهای اطلاعات]]
|