حافظه فلش: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Mahdy Saffar (بحث | مشارکتها) |
بدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۳:
از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.
علاوه بر این، این حافظه به ارایه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای [[حافظه اصلی]] در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از [[دیسک سخت]] (Hard disk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.
دو نو حافظه ی فلش وجود دارد که بر حسب منطق های NAND , NOR نام گذاری شده اند سلولهای مستقل حافظه ی فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازه ی مربوطه را نشان میدهند. در حالی که EPROM ها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش های نوع NANDمیتوانند هم زمان در بلوک هایی که معمولا از کّل دستگاه کوچکترند خواند و نوشته شوند. فلش های NOR به یک کلمه ی ماشینی تنها (بایت) اجازه میدهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند.
نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش های یواس‌بی و درایو های حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده میشود. فلش های NAND, NOR معمولا برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده میشوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROM ها یا حافظه ی استاتیک باتری دار ممکن میشد. یکی از معایب حافظه ی فلش تعداد محدود چرخه های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.
''' فلش NOR :'''
هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
''' فلش NAND :'''
فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه سازی میکنند. تعداد زیادی از ترانزیستور ها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low میشود که تمامی خطوط کلمه ها High شده باشند. سپس این گروه ها به وسیله ی تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده اند مشابه حالتی که ترانزیستور های تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده اند.
در مقایسه با فلش های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروههای سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می افزاید. در حالی که فلش های NOR میتوانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش های NAND میتوانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
{{ترجمه}}
| |||