حافظه فلش: تفاوت میان نسخه‌ها

دو نو حافظه ی فلش وجود دارد که بر حسب منطق های NAND , NOR نام گذاری شده اند سلولهای مستقل حافظه ی فلش مشخصات درونی‌ مشابهی با دروازه ی مربوطه را نشان میدهند. در حالی‌ که EPROM ها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند‌، فلش های نوع NANDمیتوانند هم زمان در بلوک هایی که معمولا از کّل دستگاه کوچکترند خواند و نوشته شوند. فلش های NOR به یک کلمه ی ماشینی تنها (بایت) اجازه میدهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند.

نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش های یواس‌بی و درایو های حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی‌ و انتقال داده استفاده میشود. فلش های NAND, NOR معمولا برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده میشوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROM ها یا حافظه ی استاتیک باتری دار ممکن میشد. یکی‌ از معایب حافظه ی فلش تعداد محدود چرخه های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.

هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی‌ یکی‌ از خطوط کلمه ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.

فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی‌ به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه سازی میکنند. تعداد زیادی از ترانزیستور ها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی‌ Low میشود که تمامی‌ خطوط کلمه ها High شده باشند. سپس این گروه ها به وسیله ی تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده اند مشابه حالتی که ترانزیستور های تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده اند.