'''جریان اشباع ''' یا '''جریان نشتی''' و یا به طور دقیق '''جریان اشباع معکوس''' (به انگلیسی : reverse saturation current) که با IsI<sub>S</sub> یا IrI<sub>R</sub> نشان داده می شود، جریانی است که در شرایط بایاس معکوس، از دیود یا هر [[اتصال_پی-ان|پیوند PN]] دیگری (مانند پیوند بیس-کلکتور ترانزیستور که به طور معکوس بایاس می شود) عبور می کند. مقدار این جریان وابسته به دماست و به ولتاژ معکوس دیود بستگی ندارد مگر اینکه دیود وارد ناحیه شکست شود که در این حالت، جریان اشباع شدیداً و به طور ناگهانی افزایش پیدا می کند. مقدار این جریان در المان های مختلف متاوت است. در دیود معمولی و در دمای اتاق مقدار جریان نشتی در حدود چند میکرو آمپر است و می توان از آن صرف نظر کرد. علت به وجود آمدن جریان اشباع معکوس، نفوذ الکترون ها و حفره ها از دو طرف لایه سد به درون این لایه و سپس رانده شدن آنها به سمت مقابل توسط میدان الکتریکی موجود در لایه سد است. این جریان وابستگی شدیدی به دما دارد. به طور تجربی می توان گفت که به ازای ۱۰ درجه افزایش دما مقدار این جریان دو برابر می شود.<ref>Steadman, J. W. (1993). "Electronics" in R. C. Dorf, The Electrical Engineering Handbook. Boca Raton: CRC Press.</ref>
