حافظه دسترسی تصادفی: تفاوت میان نسخه‌ها

 

== پیشرفت‌های اخیر ==

 

== دیوارهای حافظه ==

پیشرفت‌های سرعت cpuبه طور قابل توجهی کند شود، بخشی به سبب موانع اصل فیزیکی موجود و بخشی به دلیل وجود مشکل دیوارهٔ حافظه در طراحی‌های اخیر cpu از برخی جهات می‌باشد. این دلایل به صورت اسنادی درسال ۲۰۰۵ توسط INTEL تشریح شد.{{سخ}}

ابتدا، باکوچک شدن هندسی تراشه و بالارفتن فرکانس‌های کلاک، جریان نشست ترانزیستور افزایش یافته و موجب مصرف توان و گرمای بیشتر می‌شود. ثانیاً میکرومتری پیدایش یافت. دو تکنیک درحال توسعه تکنولوژی"کروکس"ارائه شده وانتقال گشتاور اپسین (STT) که باهمکاری کروکس، هاینیکس ،IBM و چندین کارخانه دیگر توسعه یافته است. درسال ۲۰۰۴، "نانترو" ارایهٔ GiB10 از پیش نمونه حافظهٔ [[نانوتیوب کربنی]] را تولید کرد با این وجود، توانایی این تکنولوژی‌ها در به کارگیری احتمال اشتراک فروش تجاری از DRAMتاSRAM یا تکنولوژی فلش مموری همچنان نامشخص مانده است .{{سخ}}