حافظه فلش: تفاوت میان نسخه‌ها

محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
با فرض حسن نیت ویرایش 95.162.20.211 (بحث) خنثی‌سازی شد: فحن. (تل)
برچسب: واگردانی‌شده
Jamshidi.ali (بحث | مشارکت‌ها)
اشتباه نوشتاری
خط ۵:
علاوه بر این، این حافظه به ارایه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای [[حافظه اصلی]] در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از [[دیسک سخت]] (Hard disk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.
 
دو نونوع حافظه ی فلش وجود دارد که بر حسب منطق های NAND , NOR نام گذاری شده اند سلولهای مستقل حافظه ی فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازه ی مربوطه را نشان میدهند. در حالی که EPROM ها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش های نوع NANDمیتوانند هم زمان در بلوک هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خواندخوانده و نوشته شوند. فلش های NOR به یک کلمه ی ماشینی تنها (بایت) اجازه میدهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند.
نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش های یواس‌بی و درایو های حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده میشود. فلش های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده میشوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROM ها یا حافظه ی استاتیک باتری دار ممکن میشد. یکی از معایب حافظه ی فلش تعداد محدود چرخه های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.
* '''فلش NOR :'''