نانو استنسیل لیتوگرافی: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
صفحهای تازه حاوی «==نانواستنسیل لیتوگرافی== '''(حکاکی با استفاده از نانوشابلون)''' نانو استنسیل<ref...» ایجاد کرد برچسبها: افزودن پیوند بیرونی به جای ویکیپیوند ویرایشگر دیداری: به ویرایشگر منبع تغییر داده شده |
بدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۱:
نانو استنسیل<ref name="stencil">[http://en.wikipedia.org/wiki/Stencil_lithography
▲نانو استنسیل<ref name="stencil">[http://en.wikipedia.org/wiki/Stencil_lithography نانو استنسیل]</ref> یک روش نوین برای تولید [[نانوساختار]]هاست. در این روش از شابلونهایی با سوراخهای نانومتری برای انتقال مواد به زیرلایه استفاده میشود. این یک روش ساده بدون نیاز به لایهی مقاوم(Resist) است.
با تکنیک نانواستنسیل ماده تحت یک وکیوم قوی(UHV) بخار میشود و بهوسیله یک ماسک مستقیما روی نمونه قرار میگیرد.
امروزه مواد مختلفی از جمله فلزات، سیلیسیم، سیلیسیم نیتراید و پلیمرها میتوانند به عنوان پوسته (Membrane) بکار روند.
سوراخهای شابلون (Stencil) به روشهای مختلفی روی پوسته ایجاد میشوند، این روشها عبارتند از؛ لیتوگرافی لیزرهای تداخلی (LIL)، باریکه الکترونی، تمرکز باریکه یونی و ... .<ref name="nanostencil">[Nanostencil Lithography -Quick & Clean;Juergen Brugger and team
سوراخهای شابلون دریک ویفر 4 اینچی میتوانند تا مقیاس میکرومتر کوچک شوند.
سطر ۱۸ ⟵ ۱۵:
==فرایند==
برای تکنیک نانواستنسیل لیتوگرافی چندین فرایند متفاوت وجود دارد که عبارتند از تبخیر،حک کردن و کاشت یون.<ref name="stencil" />
در هریک از اینها با توجه به نوع فرایند مواد مورد استفاده تغییر میکنند. برای مثال اگر پوسته در برابر اسید مورد استفاده در حک کردن حساس باشد از یک لایه مقاوم در برابر خوردگی اسید در پشت پوسته استفاده میکنیم. یا برای کاشت یون یک لایه رسانا پشت پوسته مورد نیاز است.
===تبخیر===
روش اصلی که برای تبخیر مواد مورد استفاده قرار میگیرد روش تبخیر فیزیکی(PVD) است. روشهای دیگری از جمله باریکه الکترونی، گرما، اسپاترینگ و تبخیر توسط لیزر هم وجود دارند که کمتر از PVD بکار میروند.<ref name="nanopattern">[http://www.zurich.ibm.com/st/nanofabrication/nanopatterning.
هرچه مواد همجهتتر روی شابلون قرار گیرند طرح یک دستتر و با کیفیت بالاتری روی زیرلایه منتقل میشود.<ref name="stencil" />
سطر ۳۵ ⟵ ۳۲:
==روشها==
===استاتیک===
در روش استاتیک، شابلون روی زیرلایه محکم میشود و زوج شابلون-زیرلایه تحت تبخیر،حکاکی یا کاشت یون قرار میگیرد. بعد از انجام لایه نشانی شابلون به راحتی از زیرلایه جدا میشود.<ref name="nanopattern
===چند مرحلهای-شبه دینامیک===
فرایند شبه دینامیک یکی از مهمترین پیشرفتها در انجام استنسیل لیتوگرافی است که از چندین مرحله تبخیر پی در پی حاصل میشود و به ما توانایی تولید ساختارهای چند مادهای از ماسکهای مختلف را میدهد.<ref name="nanopattern
===دینامیک===
در مد دینامیک شابلون روی زیرلایه حرکت میکند و به این طریق به ما امکان ایجاد ساختارهایی با ارتفاع مختلف میدهد. در واقع در طول فرآیند تبخیر مادهکاری با تغییر سرعت حرکت شابلون میتوانیم ارتفاع طرحهای تشکیل شده روی زیرلایه را تعیین کنیم و به این ترتیب میتوان ساختارهایی با ارتفاع کمتر از 10 نانومتر تولید کرد.
==چالشها==
سطر ۵۱ ⟵ ۴۸:
==گپ (blurring)==
دقت ساختار منتقل شده از شابلون به زیرلایه به عوامل مختلفی بستگی دارد که پخش شدگی ماده کاری روی زیرلایه(که خود تابعی است از دما، نوع مادهکاری و درجه تبخیر) و ساختار هندسی از فاکتورهای اصلی آن هستند، که هردو به تشکیل طرح بزرگتر منجر میشوند. <ref name="
در حالت ایدهآل ساختار به شکل زیر است:<ref name="nanostencil" />
|