تحرکپذیری: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
بدون خلاصۀ ویرایش |
|||
خط ۱۷:
در نیمه‌‌هادی‌ها سرعت رانش الکترون‌ها و حفره‌ها برای یک میدان الکتریکی اعمال شده متفاوت می‌باشد.
در[[پلاسما]] همین پدیده بین [[یون]]ها و الکترون‌های آزاد وجود دارد.
در [[خلأ]] الکترون ها تحت میدان الکتریکی طبق [[قانون دوم نیوتن]] شتاب می گیرند. این شتاب گرفتن پیوسته باعث می شود سرعت حرکت الکترون ها آن قدر زیاد شود که به سرعت های [[
در جامدات هم اگر الکترون ها مجبور باشند که مسافت‌های خیلی کوتاه (قابل مقایسه با مسافت‌های طی شده در [[حرکت براونی]] ) را بپیمایند٫ ممکن است [[انتقال شبه بالیستیکی]] بوجود بیاید.
خط ۲۴:
==رابطه تحرکپذیری و رسانایی الکتریکی==
فرض کنید که ''n'' [[عدد چگالی]] الکترون ها و μ تحرکپذیری آنها باشد. هنگام اعمال میدان الکتریکی '''E''' ٫بردار سرعت الکترون ها به طور متوسط μ'''E''' - خواهد شد و چگالی جریان ایجاد شده از حرکت الکترون‌ها ''ne''μ'''E''' خواهد بود که در آن e [[بار الکترون]] است. در نتیجه هدایت الکتریکی و تحرکپذیری توسط رابطه زیر به یکدیگر مربوط می‌شوند:
اگر بیش از یک نوع [[
{{چپچین}} <math>\sigma=\sum_i n_i\mu_i|q_i|</math>
{{پایان چپچین}}
| |||