راکتانس الکتریکی: تفاوت میان نسخه‌ها

محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
برچسب‌ها: ویرایش همراه ویرایش از وبگاه همراه
Farzad.khanbeygi (بحث | مشارکت‌ها)
←‏راکتانس خازنی: نمایش نادرست فرمول راکتانس خازنی منبع: کتاب بررسی سیستم های قدرت استیونسون ترجمه محمود دیانی صفحه 140
برچسب‌ها: ویرایش همراه ویرایش از وبگاه همراه
خط ۳۳:
راکتانس خازنی عاملی است که در برابر تغییرات ولتاژ عنصر، مقاومت می‌کند. راکتانس خازنی <math>\scriptstyle{X_C}</math> با بسامد <math>\scriptstyle{f}</math> سیگنال و [[گنجایش الکتریکی]] <math>\scriptstyle{C}</math>، نسبت معکوس دارد.<ref>Irwin, D. (2002). ''Basic Engineering Circuit Analysis'', page 274. New York: John Wiley & Sons, Inc.</ref>
 
:<math>X_C = \frac {-1} {\omega C} = \frac {-1} {2\pi f C}\quad</math>
 
[[خازن]] از دو [[رسانای الکتریکی]] که با [[عایق الکتریکی]] جدا شده‌اند تشکل شده. به عایق الکتریکی خازن [[دی‌الکتریک]] هم می‌گویند.