کندوپاش: تفاوت میان نسخه‌ها

'''کندوپاش''' یا '''اُسپَرانی'''<ref>{{یادکرد وب|کد زبان=en|نشانی=http://dictionary.obspm.fr/index.php?formSearchTextfield=sputtering&formSubmit=Search&showAll=1|عنوان=An Etymological Dictionary of Astronomy and Astrophysics - 1|بازبینی=2017-03-30}}</ref> (به انگلیسی: Sputtering) یکی از روشهای لایه نشانی از فاز بخار است که بطور عمده برای تولید فیلم فلزات از نانو تا میکرو می باشد و تحت شرایط کنترل شده می‌توان نانوذراتی ۳ نانومتری هم به این شیوه بدست آورد. اما فرایند اسپاترینگ عبارتست از کندوپاش اتمهای یا مولکولهای هدف {{به انگلیسی|target}} و ایجاد یک فیلم با یونهای یک گاز خنثی که در پلاسما ایجاد شده و درمیدان ایجاد کننده پلاسما شتاب می‌گیرند.<ref>{{یادکرد وب|نشانی =http://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Sputtering}}</ref>مانند سایر روش های لایه نشانی فیزیکی تحت شرایط خلا، روش کندوپاش نیز شامل سه مرحله‌ی تبخیر ماده‌ی منبع، انتقال بخار از منبع به هدف و تشکیل لایه نازک روی هدف با انباشت بخار منبع مورد نظر است. در روش کندوپاش، برای این‌که ماده‌ی منبع به فاز بخار درآید، از بر هم کنش فیزیکی ذره هایی که به ماده منبع برخورد می کنند استفاده می‌شود. ماده هدف که به ولتاژ منفی متصل است، نقش [[کاتد]] را دارد. با بمباران و برخورد ذرات پر انرژی به سطح منبع، اتم‌ها یا مولکول‌های آن از سطح جدا شده و به بیرون پرتاب می‌شوند و درمیدان ایجاد کننده‌ی پلاسما شتاب می‌گیرند. هدف به ولتاژ مثبت متصل است و در واقع نقش آند را دارد، بنابراین لایه‌ای از جنس منبع روی آن انباشته می شود. این روش برای ایجاد پوشش و ساخت لایه های نازکی که کاربردهایی مانند اپتیکی، ذخیره سازی مغناطیسی و... دارند، استفاده می‌شود.<ref name="o">{{یادکرد وب|نشانی =http://edu.nano.ir}}</ref>