حتی مواد آمورف دارای مقداری نظم کوتاه برد در طول اتمی بخاطر طبیعت پیوند شیمیایی می باشندمیباشند. بنابراین، در بسیار از [[بلور|کریستال]] ها، مقدار زیادی از اتم ها، کریستال اند؛ سستی سطح و تاثیراتتأثیرات فضایی مکان اتم هااتمها را تغییر می دهد، و در واقع نظم اتم هااتمها را تحریف می کند،میکند، که با این کار، نظم ساختاری به هم میریزدمیریزد. حتی پیچیدهپیچیدهترین ترین تکنیک هایتکنیکهای مرتب سازی ساختاری، همچون انکسار اشعه x و میکروسکوپ انتقال الکترونی، در تمایز میان آمورف هاآمورفها و ساختارهای کریستالی در این بازه طولی مشکل دارند.
== فیلم هایفیلمهای نازک آمورف ==
فاز هایفازهای آمورفی، اجزاء مهم فیلم هایفیلمهای نازک هستند، که لایه هایلایههای جامد یکدست از چند نانو متر تا چند میکرو متر، در یک لایه قطر دارند. مدل هایی که به آنهاآنها مدل هایمدلهای ساختار منطقه می گویند، ساخته شده اند تا میکرو ساختار و سرامیکسرامیکهای های فیلم هایفیلمهای نازک را به عنوان تابع ای از دمای همگن ''T<sub>h</sub>'' که ضریب میزان کاهش دما در طول دمای دمای ذوب است را توضیح دهد. با توجه به این مدل ها، شرایط لازم ( نه کافی ) برای بوجود آمدن فاز هایفازهای آمورف این است که ''T<sub>h</sub>''باید از 0.3 کمتر باشد، در واقع، میزان کاهش دما باید کمتر از 30% از دمای ذوب باشد. برای مقادیر بیشتر، انتشار سطحی گونه هایگونههای موجود اتمی ممکن است اجازه تشکیل کریستال هایی با نظم اتمی بلند دامنه را بدهند.
با توجه به استفاده آنها، لایه هایلایههای فلزی آمورفی نقش مهمی در بحث از یک ابر رسانایی در آهن هایآهنهای آمورف اجرا کرده اندکردهاند. امروزه، پوشش اپتیکال ساخته شده از TiO<sub>2</sub>, SiO<sub>2</sub>, Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> و ... و ترکیب هایی از آنهاآنها در بیشتر موارد از فاز هایفازهای آمورفی از این ترکیبات تشکیل شده استشدهاست. تحقیقات زیادی بر روی فیلم هایفیلمهای نازک آمورفی به عنوان یک لایه جدا شونده گازی اجرا شده استشدهاست. از نظر تکنولوژی، مهم ترینمهمترین فیلم نازک آمورفی، احتمالاً توسط لایه هایلایههای نازک SiO<sub>2</sub> به قطر چند نانو متر که به عنوان جداساز بر روی کانال هدایت از یک اکسید فلز نیمه هادی ترانزیستور میدان اثر (MOSFET) عمل میکنند،میکنند، معرفی می شوندمیشوند. همچنین سیلیکون آمورفی هیدروژنه، برای فیلم نازک سلول هایسلولهای خورشیدی از اهمیت فنی برخوردار است. در مورد یک Si:H نظم بلند دامنه مفقود بین اتم هایاتمهای سیلیکون توسط حضور هیدروژن در بازه درصدی به صورت جزئی القا شده استشدهاست.
تشکیل فاز هایفازهای آمورفی به عنوان یک پدیده علاقه خاص برای تحقیق رشد فیلم نازک مشخص شد. نکته قابل توجه این است که رشد فیلم هایفیلمهای پلی کریستالی معمولامعمولاً توسط یک لایه آمورفی اولیه ایجاد و استفاده می شودمیشود. قطر آن تنها میتواند چند نانو متر باشد. مثالی که بیشتر مورد بررسی قرار گرفته توسط فیلم هایفیلمهای نازک سیلیکونی چند کریستاله همچون مولکولهای بی نظیربینظیر بیان شده استشدهاست . یک لایه آمورفی اولیه در بسیاری از تحقیقات دیده شده استشدهاست. پلی کریستال هایکریستالهای گوه مانند، توسط میکروسکوپ هایمیکروسکوپهای انتقال الکترونی تشخیص داده شده اند تا تنها بعد از اینکه قسمت دوم از یک قطر مشخص تجاوز کرد فاز آمورفی رشد می کندمیکند. میزان دقیق آن به درجه حرارت رسوب،فشار پس زمینه و پارامتر هایپارامترهای پروسه دیگر بستگی دارد. این پدیده در قالب قانون استوالد از سطح هاسطحها تفسیر شده استشدهاست که تشکیل فاز هافازها با افزایش زمان تراکم به سمت افزایش ثبات را پیش بینی میپیشبینی کندمیکند. تحقیقات آزمایشگاهی از این پدیده نیازمند یک حالت به وضوح تعریف شده از سطح و از چگالی آلودگی و ... می باشدمیباشد که در آن فیلم نازک ته نشین شده باشد.
== دسته بندی جامدها به بلوری (کریستالن) و بی شکل (آمورف) ==
هنگامی که بحث درباره جامدات مکان هایمکانهای اتم ها، مولکولها یا یون هایونها را در فضا ثابت در نظر گرفته میشودمیشود. با این فرضیه، اجزای یک جامد میتواند دو حالت کلی داشته باشد: (۱) آنهاآنها می توانندمیتوانند یک ساختار سه بعدی منظم را تشکیل دهند با عنوان شبکه بلوری (crystal lattice) شناخته میشود که قرارگیری این شبکه هایشبکههای بلوری منظم در کنار هم، باعث تولید جامد کریستالی می شودمیشود. (۲) یا اینکه می توانندمیتوانند بدون نظم خاصی در کنار یک دیگر قرار بگیرند که باعث تشکیل ماده آمورف یا بی شکل می شودمیشود. در حالت بی نظمی، دیگر شبکه بلوری (crystal lattice) وجود ندارد.
== مقایسه نقطه ذوب مواد کریستالی با آمورف ==
کریستال هاکریستالها (جامدهای بلوری یا منظم) بر خلاف مواد بی شکل (آمورف) دمای ذوب نسبتاٌ مشخصی دارند زیرا تمام مولفه هایمولفههای اتمی، مولکولها یا یون هایونها دارای همسایگانی با تعداد، نوع و فاصله مشابهی هستند . بنابراین نیروهای بین مولکولی ای که اجزا را در کنار هم نگه داشته اند یکنواخت و یکسان هستند. برای ذوب شدن ماده، غلبه بر این نیروهای یکنواخت نیاز است و از آنجا که برای غلبه بر این نیروهای یکسان، انرژی مشخصی نیاز است در نتیجه کریستال هاکریستالها نقطه ذوب نسبتا مشخصی دارند.
== مقایسه چینش ریز ذره ایذرهای مواد کریستالی با آمورف ==
در جامدات کریستالی اتم هااتمها به صورت مرتب و با نظم مشخصی در کنار یکدیگر قرار گرفته اند – نیرویی که اجزای یک ماده را در کنار هم نگه می دارد همان نیروی یکنواخت بین مولکولی و اتمی است – در حالی که اجزای جامدات بی شکل ( یا آمورف) به صورت آرایه هایآرایههای منظم در کنار هم مرتب نشده اند و نظم خاصی ندارند. شکل سه بعدی زیر دید زیبایی از چینش هایچینشهای منظم و نامنظم را به صورت سه بعدی به ما می دهد.