تفاوت میان نسخه‌های «حافظه دسترسی تصادفی»

جز
←‏تاریخچه: اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با استفاده از AWB
جز (اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با استفاده از AWB)
جز (←‏تاریخچه: اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با استفاده از AWB)
حافظه [[هسته مغناطیسی]] در سال۱۹۴۷ اختراع شد و تا دهه ۱۹۷۰توسعه یافت و نمونه گسترده حافظه دسترسی تصادفی شد وابسته به مجموعه حلقه‌های مغناطیسی است با تغییر [[نیروی مغناطیسی]] هر حلقه می‌توانند در هر حلقه یک بیت داده ذخیره شود
هر حلقه مجموعه‌ای از سیم آدرس‌ها را دارد که می‌توان ان‌ها را انتخاب کرد خواند یا ثبت کرد و دسترسی به هر قسمت حافظه امکان‌پذیر است.
حافظه هسته مغناطیسی تا زمانی که با حافظه حالت جامد در مدارات مجتمع (در اوایل دهه ۱۹۷۰)جایگزین شد استاندارد بود. Robert H.Dennardحافظه دسترسی تصادفی پویا(DRAM)را در سال ۱۹۶۸ اختراع کرد که یک ترانزیستور را جایگزین مجموعه ۴یا۶ ترانزیستوری برای هر بیت کرد و تا حد زیادی باعث افزایش چگالی حافظه در ازای نوسانات شد اطلاعات در خازن کوچک هر ترانزیستور ذخیره می‌شدند وبایدو باید هر چند [[میلی ثانیه]] قبل از اینکه شارژ خالی کنند به روز می‌شدند.
 
== انواع رم ==
۱۳۳٬۲۴۲

ویرایش