تفاوت میان نسخه‌های «حافظه دسترسی تصادفی»

جز
اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با ویرایشگر خودکار فارسی
جز (اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با ویرایشگر خودکار فارسی)
جز (اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با ویرایشگر خودکار فارسی)
ظرفیت Williams tube چند صد تا حدود چند هزار بیت بود ولی بسیار کوچکتر سریعتر و کارامد تر از لامپ سه قطبی بود.{{سخ}}
حافظه [[هسته مغناطیسی]] در سال۱۹۴۷ اختراع شد و تا دهه ۱۹۷۰توسعه یافت و نمونه گسترده حافظه دسترسی تصادفی شد وابسته به مجموعه حلقه‌های مغناطیسی است با تغییر [[نیروی مغناطیسی]] هر حلقه می‌توانند در هر حلقه یک بیت داده ذخیره شود
هر حلقه مجموعه‌ای از سیم آدرس‌ها را دارد که می‌توان ان‌هاآن‌ها را انتخاب کرد خواند یا ثبت کرد و دسترسی به هر قسمت حافظه امکان‌پذیر است.
حافظه هسته مغناطیسی تا زمانی که با حافظه حالت جامد در مدارات مجتمع (در اوایل دهه ۱۹۷۰)جایگزین شد استاندارد بود. Robert H.Dennardحافظه دسترسی تصادفی پویا(DRAM)را در سال ۱۹۶۸ اختراع کرد که یک ترانزیستور را جایگزین مجموعه ۴یا۶ ترانزیستوری برای هر بیت کرد و تا حد زیادی باعث افزایش چگالی حافظه در ازای نوسانات شد اطلاعات در خازن کوچک هر ترانزیستور ذخیره می‌شدند و باید هر چند [[میلی ثانیه]] قبل از اینکه شارژ خالی کنند به روز می‌شدند.
 
ازسال ۲۰۰۶،"درایوهای حالت جامد"(مبتنی بر فلش مموری) با ظرفیت‌های بالغ بر۲۵۶گیگابایت و کارکردهای خیلی بیشتر از دیسک‌های قدیمی، دردسترس قرارگرفت. این توسعه، شروع به محوکردن تعریف بین"دیسک "و مموری بادست یابی تصادفی سنتی، با کاهش تفاوت‌های کارکرد کرد.{{سخ}}
برخی از انواع مموری بادست یابی تصادفی نظیر"”ECORAM، به‌طور خاص برای مزارع، که درانها مصرف کم توان از اهمیت بیشتری نسبت به سرعت برخورداراست، مزایای سرعت بالای کلاک به وسیله رکورد حافظه خنثی شده است، چون زمان‌های دست یابی حافظه قادر به حفظ سرعت با افزایش فرکانس‌های کلاک نمی‌باشد. ثالثاً، طرح‌های ترتیبی قدیمی در کاربردهای مشخص، باسریع تر شدن پروسسورها غیرکارآمدتر می‌شوند (به دلیل پدیده‌ای به نام "تنگنای وان نیومن")و در نتیجه موجب پایین‌تر آمدن ارزش بهرهٔ ناشی از افزایش فرکانس می‌گردد به‌علاوه، بخشی به سبب محدودیت‌های وسایل تولید اندوکتانس در دستگاه‌های حالت جامد، تاخیرات RC(مقاومت –خازن) درارسال سیگنال باکوچک شدن اندازهٔ مشخصه‌ها، درحال رشد بوده که یک تنگنای اضافی را به ان تحمیل می‌کند.
تاخیرات RC در ارسال سیگنال دربرخیدر برخی کلاک در مقابل IPC نیز ذکر شده‌بود ک"”THE END OF THE ROAD برای طرح ریز قراردادی که پروژه‌ای با ماکسیمم بهبود عملکرد CPU سالانه میانگین ۱۲٫۵٪ بین سال‌های ۲۰۰۰ تا ۲۰۱۴ بوده‌است. داده‌های پروسسورهای INTEI به وضوح کاهش تدریجی در بهبود کارکرد پروسسورهای اخیر را نشان می‌دهند. بلاین حال، پروسسورهای TNTEL CORE 2 DUO ((CONROE نشان دهندهٔ پیشرفت قابل توجهی در پروسسورهای پنتیوم ۴قبلی بود و این موضوع به سبب طرحی کارآمدتر و افزایش کارکرد ضمن کاهش واقعی نرخ کلاک است.
 
== جستارهای وابسته ==
۱۳۳٬۲۴۲

ویرایش