کلکتور مشترک: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Freshman404 (بحث | مشارکت‌ها) جز ←جایگزینی با [[وپ:اشتباه|اشتباه‌یاب]]: بافر⟸تقویت‌کننده میانگیر|بافر |
FreshmanBot (بحث | مشارکت‌ها) جز اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با ویرایشگر خودکار فارسی |
||
خط ۱:
[[پرونده:NPN_emitter_follower.svg|بندانگشتی|چپ|150px|یک ترانزیستور NPN که به صورت اتصال کلکتور مشترک بسته شده است.]]
در [[الکترونیک]] برای ساخت [[تقویت کننده]] از روش‌های مختلفی استفاده می‌شود که از جملهٔ
[[پرونده:PNP emitter follower.svg|بندانگشتی|150px|یک ترانزیستور PNP که به صورت اتصال کلکتور مشترک بسته شده است.]]
خط ۵۹:
== مدل سیگنال کوچک ==
در الکترونیک معمولاً این نوع مدارها را به دو شیوه تحلیل و بررسی
[[Image:Voltage follower small-signal.svg|thumb|300px|مدل [[هایبرید پای]] مدار شکل بالا]]
[[Image:Voltage follower output resistance.svg|300px |thumb|همان مدار شکل قبل که یک منبع تست برای پیدا کردن مقدار مقاومت خروجی به آن اضافه شده است.]]
خط ۷۱:
می توان بهره را به صورت زیر نوشت:
:<math>A_\mathrm{v} = \frac{v_\mathrm{out}}{v_\mathrm{in}} = \frac{1}{1+\frac{R}{R_\mathrm{E}}} \ . </math>
همچنین مقاومت ورودی را
:<math>R_\mathrm{in} = \frac{v_\mathrm{in}}{i_\mathrm{b}} = \frac{R_\mathrm{S}+r_{\pi}}{1-A_\mathrm{v}} \ </math>
::<math>=\left(R_\mathrm{S}+r_{\pi}\right)\left(1+\frac{R_\mathrm{E}}{R}\right ) \ </math>
::<math> = R_\mathrm{S}+r_{\pi} +(\beta+1)R_\mathrm{E} \ . </math>
با قرار دادن یک [[منبع جریان]] تست(همان طور که در شکل روبرو نشان داده
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} \ . </math>
خط ۸۲:
:<math>(\beta+1)i_\mathrm{b} = i_\mathrm{x}-\frac{v_\mathrm{x}}{R_\mathrm{E}} \ , </math>
:<math> v_\mathrm{x} = i_\mathrm{b} \left( R_\mathrm{S}+r_{\pi} \right) \ . </math>
با استفاده از مقادیر بدست آمده
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} = R \parallel R_\mathrm{E} \ , </math>
| |||