راکتانس الکتریکی: تفاوت میان نسخه‌ها

هم [[اندازه (ریاضی)|اندازه‌ی]] <math>\scriptstyle{|Z|}</math> و هم [[فاز (موج)|فاز]] <math>\scriptstyle{\theta}</math> در [[امپدانس الکتریکی]]، به کمیت‌های مقاومت و راکتانس بستگی دارند.

راکتانس خازنی عاملی است که در برابر تغییرات ولتاژ عنصر،ولتاژ، مقاومت می‌کند. راکتانس خازنی <math>\scriptstyle{X_C}</math> با بسامد <math>\scriptstyle{f}</math>سیگنال و [[گنجایش الکتریکی]] <math>\scriptstyle{C}</math>، نسبت معکوس دارد.<ref>Irwin, D. (2002). ''Basic Engineering Circuit Analysis'', page 274. New York: John Wiley & Sons, Inc.</ref>

[[خازن]] از دو [[رسانای الکتریکی]] که با [[عایق الکتریکی]] جدا شده‌اند تشکل شده است. به عایق الکتریکی خازن [[دی‌الکتریک]] هم می‌گویند.

در [[بسامد]]های پایین، خازن [[مدار-باز]] است، چراکهچرا که هیچ جریانی از دی‌الکتریک نمی‌ گذرد. یک ولتاژ [[دی‌سی|DC]] که به یک خازن اعمال می شود، موجب جمع‌شدن [[بار الکتریکی|بارهای الکتریکی]] مثبت در یک سو و بارهای الکتریکی منفی در سوی دیگر دی‌الکتریک خواهد شد. [[میدان الکتریکی]] حاصل از جمع‌شدن بارها، منبع مخالفت با جریان است. هرگاه [[پتانسیل الکتریکی|پتانسیل]] ناشی از بارها دقیقاً با ولتاژ اعمالی موازنه شوند، جریان به صفر میل می‌کند.

راکتانس القایی، عامل مخالفت در برابر تغییر جریان عنصر است. راکتانس القایی <math>\scriptstyle{X_L}</math> با [[بسامد]] <math>\scriptstyle{f}</math> [[سیگنال]] و [[القاوری]] <math>\scriptstyle{L}</math> متناسب است.