ماسفت: تفاوت میان نسخه‌ها

محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
بدون خلاصۀ ویرایش
بدون خلاصۀ ویرایش
خط ۱:
[[File:MOSFET Structure.png|thumb|ماسفت شامل پایه‌هایپایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود. بنابراین ماسفت، سه پایه دارد.]]
'''ماسفت''' یا '''ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز''' {{به انگلیسی|metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ '''MOSFET'''}} معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. این گونه از [[ترانزیستور اثر میدان]] نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ [[مدارهای مجتمع]] به کار گرفته شدند.
 
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثرِاثر میدان ('''FET''') را با سه پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. در این ترانزیستور، چنان‌که از نامش پیداست، گیت (پایهٔ کنترلی،کنترلی)، جریانی مصرف نمی‌کندنمی‌کشد و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین رویروی، وقتی گیت به عنوان ورودی این مدارترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت [[امپدانس الکتریکی|امپدانس]] ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از [[سیلیسیم دی‌اکسید|اکسید سیلیسیم]] (SiO<sub>2</sub>) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا {{به انگلیسی|IGFET, Insulated Gate FET}} نیز گفته می‌شود.<ref>{{پک|Sedra |۱۳۸۸|ک=کتاب لکترونیک مدار-طراحی-کاربرد|ص=۳۰۶}}</ref>
 
[[مدارهای مجتمع]] بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به [[مقاومت]]، [[دیود]] یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.<ref>{{پک|Floyd|۱۳۸۶|ک=مدارهای میکروالکترونیک|ص=۱۹۵}}</ref> همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش‌تربیش‌ از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
 
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ [[ترانزیستور دوقطبی پیوندی|ترانزیستورهای دوقطبی]]، در ترانزیستورهای MOSFET، [[جریان]]، نتیجهٔ [[شارشِ بارِ الکتریکی|شارشِ]] تنها یک [[حامل]] ([[الکترون]] یا [[حفره]]) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.