ماسفت: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
بدون خلاصۀ ویرایش |
بدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۱:
[[File:MOSFET Structure.png|thumb|ماسفت شامل
'''ماسفت''' یا '''ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمهرسانای اکسید-فلز''' {{به انگلیسی|metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ '''MOSFET'''}} معروفترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. این گونه از [[ترانزیستور اثر میدان]] نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و بهکارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفتهای الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاهها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ [[مدارهای مجتمع]] به کار گرفته شدند.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور
[[مدارهای مجتمع]] بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را میتوان بسیار ریزتر و سادهتر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابعهای پیچیده و مقیاسهای بزرگ) نیازی به [[مقاومت]]، [[دیود]] یا دیگر قطعههای الکترونیکی داشته باشند.<ref>{{پک|Floyd|۱۳۸۶|ک=مدارهای میکروالکترونیک|ص=۱۹۵}}</ref> همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آنها را آسان میکند، چندان که هماکنون
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آنها شکل میگیرد، NMOS یا PMOS نامیده میشوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسانتر است و مساحتِ کمتری هم میگیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ [[ترانزیستور دوقطبی پیوندی|ترانزیستورهای دوقطبی]]، در ترانزیستورهای MOSFET، [[جریان]]، نتیجهٔ [[شارشِ بارِ الکتریکی|شارشِ]] تنها یک [[حامل]] ([[الکترون]] یا [[حفره]]) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تکقطبی هم مینامند.
|