ماسفت: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
جز ویکیسازی رباتیک (درخواست کاربر:MA Javadi)(۷.۶) >دانشگاه صنعتی امیر کبیر، ترانزیستور اثر میدانی، مدارهای الکترونیکی، آزمایشگاههای بل، الکتریسیته ساکن، اختلاف پتانسیل، گیتهای منطقی، صاحب الزمانی، چگالی جریان، نیمه رسانا، مدار مجتمع، منبع ولتاژ، ثبت اختراع، هیئت مدیره، ولتاژ بالا، شیخ بهایی، نیمه هادی، اتاق تمیز، اف ام+املا+مرتب+تمیز (۱۰.۷) |
بدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۱:
[[پرونده:MOSFET Structure.png|بندانگشتی|ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین
'''ماسفت''' یا '''ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز''' {{به انگلیسی|metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ '''MOSFET'''}} معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. این گونه از [[ترانزیستور اثر میدان]] نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ [[مدارهای مجتمع]] به کار گرفته شدند.
در [[مدارهای الکترونیکی]]، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با
[[مدارهای مجتمع]] بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به [[مقاومت]]، [[دیود]] یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.<ref>{{پک|Floyd|۱۳۸۶|ک=مدارهای میکروالکترونیک|ص=۱۹۵}}</ref> همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
| |||