حافظه فلش: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
منبع؟ برچسب: خنثی‌سازی |
بدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۳۴:
حافظه فلش تعداد محدودی حلقه نوشتن و پاک کردن را پشتیبانی می‌کند. بیشتر فلش‌های در دسترس ما، به‌طور تضمینی قبل از اینکه تحلیل رفتن حافظه کیفیت آن را پایین بیاورد، حدود ۱۰۰۰۰۰ حلقه نوشتن و پاک کردن را پوشش می‌دهند.
برای کمتر کردن آثار این مشکل در بعضی از سیستم‌ها از روشی استفاده می‌شود که در آن با شمارش تعداد عملیات نوشتن و بازنگاری پویای بلوک‌ها جهت توزیع عملیات نوشتن در بین بخش‌های مختلف، باعث پایین آمدن سطح تحلیل حافظه می‌شویم. این روش یکسان کردن تحلیل نام‌گذاری شده‌است.
در سال ۲۰۱۲، مهندسان تایوانی در [[IEEE]]، نشست دستگاه‌های الکترونی ۲۰۱۲، اعلام کردند که با استفاده از پروسه‌ای به نام خوداصلاحی، موفق شدند تعداد چرخه‌های حافظه [https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ فلش] نند را از ۱۰۰۰۰ به ۱۰۰ میلیون افزایش دهند. نتیجه این پروسه این است که یک تراشه می‌تواند بارها و بارها پاک و دوباره‌نویسی شود، بدون اینکه از کار بیفتد.
=== اختلال در خواندن ===
| |||