سلول حافظه واحد اصلی تشکیل دهنده [[حافظه رایانه|حافظهٔ کامپیوتر]] است. سلول حافظه را می‌توان با به کارگیریبه‌کارگیری تکنولوژی‌های مختلفی مانند [[ادوات نیم‌رسانا|نیمه هادی‌ها]]، [[ماسفت]] و [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی]] ساخت. یکی دیگر از روش‌های ساخت سلول‌های حافظه استفاده از مواد با خاصیت مغناطیسی مانند [[آهنرباهای فریت]] است.<ref>{{یادکرد کتاب|عنوان=Magnetic Memory|نویسنده=Denny D. Tang, Yuan-Jen Lee|ناشر=Cambridge University Press|تاریخ=2010|پیوند=https://books.google.ca/books?id=xsMMWOjFXzAC&dq=ferrite+core+memory+magnetic+bubble&source=gbs_navlinks_s}}</ref> صرف نظر از تکنولوژی به کار رفته، هدف سلول حافظه دودویی همواره یکسان است. یک بیت داده دودویی با امکان خواندن، ذخیره می‌شود. بیت یک (سطح ولتاژ بالا)، در وضعیت «تنظیم» (به انگلیسی: Set) و بیت صفر (سطح ولتاژ پایین) در وضعیت «تنظیم مجدد» (به انگلیسی: Reset) ذخیره می‌شود.<ref>{{یادکرد وب|عنوان=An engineering approach to digital design: Fletcher, William I. , 1938-: Free Download, Borrow, and Streaming|نشانی=https://archive.org/details/engineeringappro00fle_wur|وبگاه=Internet Archive|بازبینی=2020-08-01|کد زبان=en}}</ref>
