ترانزیستور اثر میدان: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
FreshmanBot (بحث | مشارکت‌ها) جز اصلاح فاصله مجازی + اصلاح نویسه با استفاده از AWB |
جزبدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۱:
[[پرونده:P45N02LD.jpg|left|270px|thumb|[[ترانزیستور]]]]
'''ترانزیستور اثر میدان''' یا '''فت'''، دسته‌ای از [[ترانزیستور]]ها هستند که مبنای کار کنترل
ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایهٔ [[سورس]]، [[درین]] و [[گیت]] هستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه [[ماسفت]] و [[جی‌فت]] تقسیم می‌شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان [[امیتر]] و [[کلکتور]] با ''[[جریان]]'' ورودی به [[بیس (ترانزیستور)|بیس]] صورت می‌گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ''[[ولتاژ]]'' به گیت صورت می‌گیرد.
خط ۸:
== پایانه‌ها ==
فت ([[FET]]) دارای سه پایه با نام‌های [[درِین]] D - [[سورس]] S و [[گیت]] G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.▼
▲فت دارای سه پایه با نام‌های [[درِین]] D - [[سورس]] S و [[گیت]] G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.
برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر، نخست پایه گیت را پیدا می‌کنیم. یعنی پایه‌ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی‌نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می‌توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.{{مدرک}}
| |||