یخچال مغناطیسی: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
ابرابزار |
ابرابزار |
||
خط ۱:
[[پرونده:Magnetocaloric effect1 04a.svg|بندانگشتی|چپ|
'''یخچال مغناطیسی''' ({{lang-en|Magnetic refrigeration}}) فناوری سرمایش با استفاده از
برای این منظور معمولاً سرمایش مغناطیسی بر اساس تغییر [[آنتروپی]]، به وسیلهٔ اثر یک [[میدان مغناطیسی]] بر یک ماده [[پارامغناطیسی]] یا [[مغناطیسی]] تولید می‌گردد.<ref>{{یادکرد ژورنال| نام خانوادگی =نبوی|نام=محمدسبحان| نام خانوادگی۲ =تیمورتاش |نام۲=علیرضا|عنوان=شبیه‌سازی عددی یک بستر سرمایش مغناطیسی|تاریخ=۱۳۸۷}}</ref>
[[پیزوالکتریکی|مواد پیزوالکتریک]] و مگنتوکالریک وقتی تحت نوسانات دمایی قرار می‌گیرند به ترتیب ولتاژ و میدان مغناطیسی تولید می‌کنند، عکس این خاصیت نیز در این مواد برقرار است، از این رو کاربردهای گرمایشی و سرمایشی و قابلیت تولید توان الکتریکی جهت استفاده در [[حسگر|سنسورها]] و وسایل الکترونیکی را دارند.<ref>{{یادکرد ژورنال| نام خانوادگی =احمدی|نام=ندا| نام خانوادگی۲ =خدایاری|نام۲=اکرم|عنوان=برداشت هایبریدی انرژی از مواد پیروالکتریک و مگنتوکالریک بر اساس سیکل‌های ترمودینامیکی|تاریخ=۱۳۹۲}}</ref>
اثراتی همچون اثر گرمامغناطیسی، مغناطوتنگش و مغناطومقاومت در خانواده ترکیبات Gd5(SixGe1-x)4 قابل توجه می‌باشد که ترکیب Gd5Si4 نیز به دلیل دارا بودن گذار فاز مغناطیسی نزدیک دمای اتاق قابل توجه می‌باشد.<ref>{{یادکرد ژورنال| نام خانوادگی =جاور|نام=مریم| نام خانوادگی۲ =یزدانی|نام۲=احمد|عنوان=بررسی تأثیر متقابل ساختار بلوری-مغناطیسی مواد گرمامغناطیسی و بروز آن در گذارهای فاز|تاریخ=۱۳۹۳}}</ref> تغییر در چگالی الکترونی حالات مختلف نشان از تغییر هیبریداسیون بین حالاتd5 Gd و p4 Geدارد که این تغییر هیبریداسیون موجب تغییر در قدرت مغناطیسی ترکیب و ایجاد حالات مختلف مغناطیسی در این ترکیب بین-فلزی می‌شود.
شایان ذکر است که حالات مختلف مغناطیسی به تغییر در نوع پیوندهای شیمیایی وابسته است. تغییر اساسی در تعداد کل الکترونهای اقلیت و اکثریت نشان از تغییر در گشتاورهای مغناطیسی از یک شکل ترکیب به شکل دیگر دارد. کاهش قابل توجه اندرکنش تبادلی بین اسپین‌هایf4 اتمهای Gd که علاوه بر کاهش چگالی الکترونهای d5، در کاهش شکافتگی باند d5 در نزدیکی سطح فرمی نیز خود را بخوبی نشان می‌دهد، بیانگر حالت زمینه آنتی‌فرومغناطیس در ترکیب Gd5Ge4 می‌باشد.<ref>{{یادکرد ژورنال| نام خانوادگی =زرینی|نام=سلمان| نام خانوادگی۲ =یزدانی|نام۲=احمد|عنوان=منشأ بروز اثر گرما مغناطیس و بررسی رفتار نانو ذزات مغناطیسی در نزدیکی دمای کوری|تاریخ=۱۳۸۸}}</ref> == تاریخچه ==
| |||