نوار ممنوعه: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
←لید: ویرایش جزئی |
ابرابزار |
||
خط ۲۷:
| Ge
| ۰٫۶۷
|<ref name="Streetman"
|-
| [[سیلیسیم کاربید]]
خط ۳۴:
| ۲٫۸۶
|<ref name="Streetman"
|-
| [[آلومینیم فسفید]]
خط ۴۰:
| AlP
| ۲٫۴۵
|<ref name="Streetman"
|-
| [[آلومینیم آرسناید]]
خط ۴۶:
| AlAs
| ۲٫۱۶
|<ref name="Streetman"
|-
| [[آنتیمونید آلومینیوم]]
خط ۵۲:
| AlSb
| ۱٫۶
|<ref name="Streetman"
|-
| [[آلومینیم نیترید]]
خط ۷۰:
| GaP
| ۲٫۲۶
|<ref name="Streetman"
|-
| [[گالیم(III) آرسناید]]
خط ۷۶:
| GaAs
| ۱٫۴۳
|<ref name="Streetman"
|-
| [[گالیم(III) نیترید]]
خط ۸۲:
| GaN
| ۳٫۴
|<ref name="Streetman"
|-
| [[گالیم(III) سولفید]]
خط ۹۳:
| GaSb
| ۰٫۷
|<ref name="Streetman"
|-
| [[ایندیم(III) فسفید]]
خط ۹۹:
| InP
| ۱٫۳۵
|<ref name="Streetman"
|-
| [[ایندیم(III) آرسناید]]
خط ۱۰۵:
| InAs
| ۰٫۳۶
|<ref name="Streetman"
|-
| [[روی اکسید|اکسید زنگ]]
خط ۱۱۷:
| ZnS
| ۳٫۶
|<ref name="Streetman"
|-
|سلنید زنگ
خط ۱۲۳:
| ZnSe
| ۲٫۷
|<ref name="Streetman"
|-
|تلورید زنگ
خط ۱۲۹:
| ZnTe
| ۲٫۲۵
|<ref name="Streetman"
|-
| [[کادمیم سولفید]]
خط ۱۳۵:
| CdS
| ۲٫۴۲
|<ref name="Streetman"
|-
|[[کادمیم سلنید]]
خط ۱۴۱:
| CdSe
| ۱٫۷۳
|<ref name="Streetman"
|-
| تلورید [[کادمیم]]
خط ۱۵۳:
| PbS
| ۰٫۳۷
|<ref name="Streetman"
|-
|سلنید [[سرب]] (II)
خط ۱۵۹:
| PbSe
| ۰٫۲۷
|<ref name="Streetman"
|-
|تلورید [[سرب]] (II)
خط ۱۶۵:
| PbTe
| ۰٫۲۹
|<ref name="Streetman"
|-
|}
خط ۱۷۳:
در [[فوتونیک]] نوار بدون انرژی یا باند توقف مربوط به بازه‌ای از فرکانس‌های [[فوتون|فوتونی]] است که فوتون‌های دارای این [[فرکانس]] نمی‌توانند از ماده عبور کنند (با صرف نظر از [[تونل‌زنی کوانتومی|اثر تونل]]). این خاصیت در بلورهای فوتونیکی نیز آن‌ها را آبستن کاربردهای بسیار زیادی، از جمله ساخت صفحات بازتابان نور برای برخی طول موج‌های خاص، موجبرهای نانومتری و … کرده‌است.
در [[فونونیک]] نیز نوار بدون انرژی مفهوم مشابهی برای [[کریستال‌های فونونی]] دارد.
== جستارهای وابسته ==
* [[نوارهای هدایت و ظرفیت]]
* [[مدل الکترون آزاد]]
* [[آمار فرمی-دیراک]]
* [[گاز فرمی]]
{{مدل‌های اتمی}}
== پانویس ==
| |||