ماسفت: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Amir.Vector (بحث | مشارکتها) جزبدون خلاصۀ ویرایش |
gate |
||
خط ۴:
این گونه از [[ترانزیستور اثر میدان]] نخستین بار در سال 1926میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به ماس‌فِت‌ها افتاد و برای ساختنِ [[مدارهای مجتمع]] به کار گرفته شدند.
در [[مدارهای الکترونیکی]]، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (
[[مدارهای مجتمع]] بر پایهٔ فناوری ماسفت را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به [[مقاومت]]، [[دیود]] یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.<ref>{{پک|Floyd|۱۳۸۶|ک=مدارهای میکروالکترونیک|ص=۱۹۵}}</ref> همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
| |||