ترانزیستور اثر میدان: تفاوت میان نسخه‌ها

محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Ali Esfandiari (بحث | مشارکت‌ها)
بدون خلاصۀ ویرایش
بدون خلاصۀ ویرایش
خط ۱:
{{منبع}}
 
[[تصویر:P45N02LD.jpg|left|270px|thumb|[[ترانزیستور]]]]
'''ترانزیستور اثر میدان'''، دسته‌ای از [[ترانزیستور]]ها هستند که دارای سه پایهٔ [[سورس]] و [[درین]] و [[گیت]] می‌باشند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه [[ترانزیستورهای اثر میدان ام‌اواس]] (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET تقسیم می‌شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان [[امیتر]] و [[کلکتور]] با [[جریان]] ورودی به [[بیس (ترانزیستور)|بیس]] صورت می‌گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال [[ولتاژ]] به گیت صورت می‌گیرد.این ترانزیستورها در ساخت مجتمع‌های آنالوگ مانند IC و... استفاده می‌شود.