تفاوت میان نسخه‌های «ترانزیستور اثر میدان»

حذف الگوی {{بهبود منبع}} (اگر جایی نیاز به منبع دارد لطفا با {{مدرک}} مشخص کنید)
جز (←‏پایانه‌ها: {{مدرک}})
(حذف الگوی {{بهبود منبع}} (اگر جایی نیاز به منبع دارد لطفا با {{مدرک}} مشخص کنید))
بع دارد لطفا در متن [[پرونده:P45N02LD.jpg|left|270px|thumb|[[ترانزیستور]]]]
{{بهبود منبع}}
 
[[پرونده:P45N02LD.jpg|left|270px|thumb|[[ترانزیستور]]]]
'''ترانزیستور اثر میدان'''، دسته‌ای از [[ترانزیستور]]ها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد که در مقابل ترانزیستورهای دوقطبی (که حامل‌های اکثریت و اقلیت همزمان در آن‌ها نقش دارند) قرار می‌گیرند.<ref>{{پک|میرعشقی|۱۳۸۵|ک=مبانی الکترونیک|ف=ترانزیستورهای اثر میدان|ص=۲۸۱}}</ref>
ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایهٔ [[سورس]]، [[درین]] و [[گیت]] هستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه [[ماسفت]] و [[جی‌فت]] تقسیم می‌شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان [[امیتر]] و [[کلکتور]] با ''[[جریان]]'' ورودی به [[بیس (ترانزیستور)|بیس]] صورت می‌گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ''[[ولتاژ]]'' به گیت صورت می‌گیرد.