طرحنگار الکترونی: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
Ladygoshasb (بحث | مشارکتها) بدون خلاصۀ ویرایش |
Ladygoshasb (بحث | مشارکتها) بدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۴:
ابزارهای پرتو الکترونی
لکترون ها ذرات بسیار ریز باردار هستند. جرم کم آنها و نسبت جرم به بار بالا به آنها این امکان را می دهد که به وسیله میدان ها ضعیف الکتریکی و مغناطیسی کانونی و هدایت شوند. جرم کم همچنین به آنها این اجازه را می دهد که در لایه های ضخیم ماده بدون جابجاکردن اتم ها و یا به جا گذاشتن اتم های خارجی نفوذ کنند. آنها فقط وارد می شوند انرژي خود را منتقل می کنند و سپس به قسمتی از ویفر که به زمین متصل شده وارد می شوند و از آن طریق از محیط خارج می شوند و زیرلایه ای تمیز و بدون هیچ نوع آشفتگی از خود به جا می گذارند. بیشتر لیتوگرافی هایی که انجام می شود از نور ماورای بنفش استفاده می کنند که یک نوع فوتون است. وقتی الکترون ها را با فوتون مقایسه می کنیم، به خاطر خاصیت پراکندگی الکترون ها آنها برای لیتوگرافی جذاب به نظر می رسند. گستره طول موج فوتون هایی که در سیستم های لیتوگرافی نوری حال حاضر استفاده می شوند 193-436 نانومتر است. آثار ناشی از پراکندگی از دیدن اندازه های ریزتر از این توسط نور جلوگیری می کند. در مقابل طول موج یک الکترون با 100کیلو الکترون ولت انرژِی فقط در حدود 4 پیکومتر است که چندین مرتبه توانی کوچکتر از اندازه الگوهایی که تولید می شوند است. این ها جنبه هایی از الکترون است که برای این کار مناسب است. حال نقطه ضعف الکترون این است که ذره ای با جرم کم و باردار است. این خاصیت مشابه به این معنی هم هست که کل سیستم کاری ما باید در خلا نگه داشته شود تا از برخورد با مولکول های هوا جلوگیری شود.
حتی مقادیر کم بار در ستون اپتیکی باعث انحراف پرتو در جهات نامطلوب می شود. چونکه مسیر پویش آزاد در جامدات خیلی کوچکتر از فوتون در محیط های شفاف مثل شیشه است، فقط لنزهای مغناطیسی و الکتریکی برای کانونی کردن قابل استفاده هستند. بهترین لنزهای مغناطیسی مثل استفاده از ته بطری به عنوان لنز نوری است. و در آخر الکترون ها وقتی که وارد رزیست و زیرلایه می شوند، تحت هر دو نوع پراکندگی یعنی زاویه کوچک (غیر الاستیک یا پراکندگی رو به جلو) و زاویه بزرگ (الاستیک یا پراکندگی رو به عقب) قرار می گیرند. این اتفاقات در محل برخورد پرتو الکترونی به لایه رزیست رخ می دهد. این آثار در کنار هم قرار می گیرند تا شکل مد نظر به وسیله پرتو الکترونی روی لایه ی رزیست کامل شود. این پدیده در شکل 2 نشان داده شده است. یک نتیجه این پراکندگی در معرض قرارگیری ناخواسته نواحی اطراف الگو می باشد که با نام اثر تقریب شناخته می شود.
خط ۱۴:
یک ستون ساده ی پرتو الکترونی در شکل 4 نشان داده شده است. از بالا شامل تفنگ الکترونی، یک سوراخ که می تواند پرتو را خاموش و روشن کند، یک لنز متمرکز کننده که می تواند قطر پرتو را تغییر دهد، یک لنز شیئی به منظور متمرکز کردن پرتو روی ویفر و یک منحرف کننده که برای جاروب کردن سطح نمونه می باشد. ویفر روی یک صفحه مجهز به موتور قرار می گیرد بنابراین می توان آن را به دقت در مکان مناسب قرار داد و کالیبراسیون مختلف را بر روی آن انجام داد. توضیحات با جزئیات بیشتر را در مراجع مربوطه می توان یافت.
در عمل سامانه پرتو الکترونی می تواند خیلی پیچیده تر از آنچه در شکل 4 نشان داده است باشد. شکل 5 یک ستون کاملتر را نشان می دهد که می توان آن را در یک سامانه پیشرفته لیتوگرافی پرتو الکترونی پیدا کرد. المان ها اضافه شده نقش ظریفی در بهبود عملکرد و کارایی انجام می دهند. در بالا تفنگ یونگرمایی ساده جایگزین منبع انتشار میدانی می شود تا چگالی های جریان بیشتری را تغذیه کند. پایین تر از تفنگ به قسمت تنظیم پرتو خروجی از تفنگ الکترونی می رسیم. الکترودهای تنظیم دسته های بیشتری برای چرخاندن و هدایت پرتو در راستایی غیر از راستای محور ستون فراهم می کند. بعد از آن یک عدسی بزرگ کننده می بینیم که جایگزین نسخه تک لنزی شده تا به کاربر امکان تغییر جریان پرتو را بدون تغییر چندان صفحه کانونی بدهد. آستیگماتور امکان گرد کردن پرتو را به ما می دهد در نتیجه ضخامت خطوط در جهات اسکن متفاوت برابر می شود. امکان به کانون آوردن دینامیکی و آستیگماتیسیون تصحیح در حین کار را وقتی که سامانه تغییر در ارتفاع نمونه را حس می کند، مقدور می سازد. منحرف کننده در عمل از مراحل متعددی تشکیل شده است. این تعدد به منظور استفاده از مزایای اسکن سرعت بالا انجام می شود. سرعت بالاتر به وسیله الکترونیک تبدیل دیجیتال به آنالوگ که در آن آدرس شامل بیت های کمتری است، بدست می آید. کنترل دقیق پایه توسط یک سامانه تداخل سنج لیزری انجام می شود که تغییرات موقعیت را با دقتی در حدود 3/0 تا 6/0 نانومتر اندازه می گیرد.
از بین سامانه های لیتوگرافی پرتو الکترونی گرانقیمت، آنهایی که ولتاژ بالای دارند، بهترین روش برای اجرای الگوهای نانو می باشند. جدیدترین ابزارهای پرتو الکترونی در 100kV کار می کنند، در حالیکه خیلی از سامانه های آزمایشگاهایی 50kV یا حتی 20kV هستند. سامانه های آزمایشگاهی در ولتاژهای کمتری هستند زیرا آنها طراحی شده اند تا به SEM وصل شوند. SEMها برای عکس گرفتن بهینه سازی شده اند نه لیتوگرافی. همانطور که می دانیم ولتاژ های کم امتیازهایی برای تصویرسازی دارند. یانگ و برگرن نوسانات Hydrogen silsesquixane را برای خطوطی با اندازه 5 نانومتر به وسیله یک روش غیرمعمول که شامل فرآیند توسط نمک است، انجام دادند. (شکل 6)
این نمونه ها مشخصا از باریکترین نمونه های ایجاد شده روی زیرلایه ی بالک هستند. تولید چنین نمونه ای در هر سامانه ای بدون توجه به اینکه ولتاژ سامانه چقدر است و بدون چنین شیمی خاصی در سامانه مشکل دشوار است.
|