حافظه رایانه: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Greenstruck (بحث | مشارکت‌ها) |
Greenstruck (بحث | مشارکت‌ها) |
||
خط ۱۱:
کلیه دستورالعمل‌ها و [[داده]] ها، برای این که مورد اجرا و پردازش قرار گیرند، نخست باید به حافظه اصلی [[رایانه]] منتقل گردند و نتایج پردازش نیز به آنجا فرستاده شود. حافظه اصلی رایانه از جنس [[نیمه رسانا]] ( الکترونیکی ) است و در نتیجه، سرعت دسترسی به اطلاعات موجود در آنها در مقایسه با انواع حافظه جانبی که بصورت مکانیکی کار میکنند مانند [[دیسک سخت]]، [[دیسک‌گردان]]، و [[لوح فشرده]] بالاست و قیمت آن نیز گران تر است اما در مقابل حافظه‌هایی، که به پردازنده نزدیکتر هستند و از ظرفیت کمتری برخوردارند مانند [[ثبات]](به انگلیسی: Processor Registers) و [[حافظه نهان سی‌پی‌یو]] (به انگلیسی:Cache)ارزانتر و از سرعت دسترسی پایینتری بهره میبرند. حافظه‌های اصلی نیز به دو دسته تبدیل می‌شوند:
* حافظه خواندنی/ نوشتنی (به انگلیسی: RWM)، [[حافظه دسترسی تصادفی]] (به انگلیسی: Random Access Memory یا RAM) از این نوع است.
* [[حافظه فقط خواندنی]] (به انگلیسی: Read Only Memory یا ROM)
خط ۱۷۲:
:درﻳﻚ EPROM استانداردﻋﻤﻠیات بالا از راه پرتو فرابنفش با فرکانس ۲۵۳/۷انجام می‌گردد. برای حذف ازحافظهEPROM، باﻳﺪ قطعه را از محل خارج کرده و به مدت چند دﻗﻴﻘﻪ زیر پرتو فرابنفش دستگاه پاک کننده قرار داداز طرﻳﻖ ﺩﺭیچه کوارتز کلیه بارهای روی تراشه ناپدﻳﺪشده وآرایهORرا به حالت برنامه رﻳﺰی نشده اش باز می گرداند، اصطلاحا اطلاعا ت EPROMپاک شده است. گر چه اﻳن بارها به اندازهٔ ﻓیوزها داﺋمی ﻧﻳﺴتندولی برای مدت ۱۰ سال محبوس باقی می مانند.
شکل زیر نشان دهنده شمای ساده شده یک سلول از حافظه نوع Flash می‌باشد. ساختمان این سلول بجز در مورد نحوه پاک شوندگی شباهت به سلول EPROM دارد و طریقه به تله انداختن بار الکتریکی در دریچه شناور نیز شبیه حالت EPROM می‌باشد. در موقع برنامه ریزی ولتاژ دریچه کنترل و Drain بالا برده شده و Source به سمت Drain شده و در آنجا بعضی از این الکترونها پر انرژی شده و شباهت به الکترون آزاد پیدا میکنند و در اینجا این الکترونها تحت اثر ولتاژ مثبت اعمال شده از سوی دریچه کنترل به سمت آن جذب شده و در ضمن عبور از منطقه اکسید نازک در دریچه شناور به تله می افتند. الکترونهای به تله افتاده در دریچه شناور یک میدان الکتریکی ایجاد می نمایند که این میدان سبب قطع شدن ترانزیستور شده و سلول مربوطه به وضعیت صفر منطقی خواهد رفت.
:برای پاک کردن سلول این حافظه مشابه E2PROM عمل می‌شود. بدین طریق که ولتاژ مثبت بالایی به پایانه Source ترانزیستور وصل شده و دریچه کنترلی به زمین وصل می‌شود. میدان الکتریکی حاصل شده در این حالت سبب می‌شود که بار الکتریکی ذخیره شده در دریچه شناور از منطقه اکسید نازک عبور کرده ( Fowler-Nordheim Tunneling) واز طریق Source به زمین برود. در زمان پاک کردن ولتاژ مثبت بالا همزمان به Source تمام سلولها متصل می‌شود و در نتیجه تمام سلولها با هم پاک می‌شوند. در حالت پاک شده چون دریچه شناور خالی از الکترون است، در نتیجه ترانزیستور روشن بوده و سلول حالت یک منطقی را از خود نشان خواهد داد .
==حافظه جانبی==
| |||