ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون
ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون (HBT) (به انگلیسی: heterojunction bipolar transistor) نوعی از ترانزیستور دوقطبی است که از نیم‌رساناهای متفاوتی در ناحیه امیتر و بیس ساخته شده و یک پیوندناهمگون به وجود آمده‌است. برتری HBT نسبت به BJT این است که می‌تواند در فرکانس‌های بسیار-بالا تا حدود چندصد گیگاهرتز کار کند. از این ترانزیستورها معمولاً در مدارات نسل جدید بسیارسریع و فرکانس رادیویی که نیازمند بازدهی بالا نیز هست، مانند گوشی تلفن همراه، استفاده می‌شود.[۱]
مواد ویرایش
تفاوت اصلی اچ‌بی‌تی‌ها با ترانزیستورهای معمولی استفاده از نیم‌رساناهای متفاوت در پیوند بیس-امیتر و بیس-کلکتور است که سبب جلوگیری از تزریق الکترون از بیس به امیتر می‌شود. در این حالت می‌توان با افزایش آلاینده ناحیه بیس، مقاومت آن را کم کرد و در عین حال بهره ترانزیستور را بالا برد. بدین منظور در ناحیه بیس این ترانزیستور از نیم‌رسانا با باند ممنوعه کم عرض مانند سیلیسیوم و گالیم آرسنید و در امیتر و کلکتور از نیم‌رسانا با باند ممنوعه عریض مثل گالیم نیترید استفاده می‌شود.
منابع ویرایش
- ↑ W. Shockley: 'Circuit Element Utilizing Semiconductive Material', United States Patent 2,569,347, 1951.