مدل ماسفت اییکیوی
مدل ماسفت اییکیوی (به انگلیسی: EKV MOSFET model) یک مدل ریاضی ترانزیستورهای نیمرسانای اثر میدان فلز اکسید (ماسفت) است که برای شبیهسازی مدار و طراحی مدار آنالوگ در نظر گرفته شدهاست.[۱] این کار توسط سی.سی. اِنز، اف. کرومیناکر و ایی. ای. ویتو (از این رو مقدمات اییکیوی) در حدود ۱۹۹۵ توسعه داده شدهاست و بخشی از کارهایی است که در دهه ۱۹۸۰ انجام داده بودند.[۲] بر خلاف مدلهای سادهتر مانند مدل درجه دو، مدل اییکیوی حتی وقتی ماسفت در ناحیه زیرآستانه کار میکند (مثلاً وقتی باشد، ماسفت در زیرآستانه است هنگامی که ). علاوه بر این، این مدلها بسیاری از اثرات ویژه در طراحی مدارهای مجتمع سیماس زیرمیکرومتر دیده میشود.
منابع ویرایش
- ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1995), "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design (published July 1995), vol. 8, pp. 83–114, doi:10.1007/BF01239381
- ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1987), "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits (published June 1987), vol. 22, no. 3, pp. 335–342, doi:10.1109/JSSC.1987.1052730