نیمه‌هادی نوع ان: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
خط ۲:
به بیان دیگر نیمه‌هادی‌های نوع اِن، از ترکیب یک نیمه‌هادی خالص با عناصری که دارای اتم‌های پنج‌ظرفیتی هستند (مانند [[آرسنیک]]) به دست می‌آید. در [[پیوند کووالانسی]] بین اتم ناخالصی با اتم‌های نیمه‌هادی میزبان، یک الکترون اضافه به وجود خواهد آمد که از مدار والانس یک اتم به اتم دیگر حرکت نامنظمی دارد و پایدار نیست. با توجه به بیشتر بودن تعداد الکترون‌ها از حفره‌ها در نیمه‌هادی نوع اِن، در این نیمه‌هادی به الکترون‌ها حامل‌های اکثریت و به حفره‌ها حامل‌های اقلیت گفته می‌شود.<ref>{{پک|علی‌بابا|۱۳۹۰|ک=کنترل‌کننده‌های منطقی|ف=دیود|ص=۶}}</ref>
== جستارهای وابسته ==
*[[پذیرنده (نیمه‌رسانا)]]
خط ۱۴:
* Wikipedia contributors, "N-type semiconductor," Wikipedia, The Free Encyclopedia, http://en.wikipedia.org/w/index.php?title=N-type_semiconductor&oldid=508129829 (accessed September 26, 2012).
* {{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=علی‌بابا|نام=محمدمهدی|کتاب=کنترل‌کننده‌های منطقی| ناشر=انتشارات گویش نو |سال=۱۳۹۰ |شابک = ۹۷۸-۶۰۰-۵۰۸۴-۶۹-۶}}
{{خرد|الکترونیک}}
| |||