ماسفت: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
Kiaxar mlk (بحث | مشارکتها) لینک کردن امپدانس برچسبها: ویرایشگر دیداری ویرایش همراه ویرایش از وبگاه همراه |
|||
خط ۲۲:
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاههای بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخهای به طراحی FET اختراع شد.
عملکرد و ساختارهای مختلف از اتصال دو قطبی ترانزیستور، MOSFET با قرار دادن یک لایه عایق در سطح نیمه هادی و سپس با قرار دادن یک الکترود گیت فلزی که در آن ساخته شده بود. این سیلیکون کریستالی نیمه هادی است و از لایهای از دی اکسید سیلیکون اکسیده حرارتی برای عایق استفاده میشود. MOSFET سیلیکون تله الکترونی موضعی در رابط بین لایه سیلیکون و اکسید آن، بومی تولید نیست، و در نتیجه ذاتا عاری از تجملات و تزئینات و پراکندگی از حاملهای که مانع عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی زودتر بود. پس از توسعه اتاق تمیز به منظور کاهش آلودگی به سطوح پیش از این فکر لازم است، و و فرایند دو وجهی اجازه میدهد تا مدارات را در مراحل بسیار کمی ساخته شده باشد، این نوع سیستم SiO2 دارای جاذبههای فنی به عنوان هزینه پایین تولید (بر اساس هر مدار) و سهولت یکپارچه سازی است. علاوه بر این، با استفاده از روش اتصال دو MOSFETهای مکمل (P-کانال و N-کانال) را به یکی از سوئیچ بالا / پایین، شناخته شده به عنوان CMOS، این بدان معنی است که مدارهای دیجیتالی پاشیدن قدرت بسیار کمی به جز زمانی که در واقع روشن است. عمدتا به دلیل این سه عامل، MOSFET تبدیل شده است با توجه به نوع ترانزیستور به طور گستردهای مورد استفاده در مدارات مجتمع است.sghl
== مدارهای CMOS ==
|