طرح‌نگار الکترونی: تفاوت میان نسخه‌ها

لیتوگرافی یا طرح نگاری الکترونی در اوایل دهه ۱۹۶۰ میلادی تقریباً هم همان زمان با طرح نگاری نوری ابداع شد. طرح نگار الکترونی از [[میکروسکوپ الکترونی]] روبشی (SEM) منشعب شده و بسیار شبیه آن است. این روش تنها با کشف پلیمر حساس به الکترون معروف به [[پلی(متیل متاکریلات)]] (PMMA)، امکان پذیر شد؛ تابش الکترون به [[پلی(متیل متاکریلات)]]، همانند تابش نور به پلیمر واسط در طرح نگار نوری است. ساخت طرح نانومتری بواسطه طرح نگاری الکترونی بسیار زودتر از طرح نگاری نوری انجام شد. از آنجا که پرتو الکترونی بسیار باریک فراهم گشت، طرح نگاری الکترونی با [[پلی(متیل متاکریلات)]] بسیار زود توانست وضوح تصویر بسیار بالاتری از آنچه که در آن زمان برای طرح نگاری نوری یک رویا بود دست یابد. در اوایل دهه ۱۹۷۰ میلادی، طرح نگاری الکترونی توانست طرح‌های ۶۰ نانومتری ایجاد کند. در حال حاضر، طرح نگاری الکترونی بهمراه پلیمرهای واسط مخصوص و فرایندهای شیمیایی مربوطه می‌تواند طرح‌های کمتر از ۱۰ نانومتر ایجاد کند.

بر خلاف طرح نگار نوری، در این روش از ماسک استفاده نمی‌شود به همین دلیل سرعت بسیار پایین تری نسبت به طرح نگار نوری دارد.