میدان مغناطیسی: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
خط ۸۰:
== میدان مغناطیسی اطراف سیم راست ==
== میدان مغناطیسی داخل پیچه مسطح حامل جریان ==
<big><math display="block">B=\tfrac{\mu NI}{2r}</math></big>
که B مقدار میدان مغناطیسی بر حسب تسلا (T) و μ که تراوایی مغناطیسی خلاء نام دارد برابر با 4π×10^-7 می باشد .
میدان مغناطیسی داخل سیم‌لوله حامل جریان
میدان مغناطیسی داخل سیم لوله به تعداد پیچش سیم در واحد متر دور هسته‌ای آهنی که قرار گرفتن آن موجب تقویت میدان که با B نشان می‌دهند خواهند شد، علاوه بر آن به جریان عبوری نیز بستگی دارد طوری که هرچه جریان بزرگتر باشد، میدان تولید شده بزرگتر خواهد بود، و علاوه بر آنها به سطح تراوا الکترومغناطیسی نیز بستگی دارد.
| |||