جامد آمورف: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
FreshmanBot (بحث | مشارکتها) جز اصلاح فاصله مجازی با استفاده از AWB |
FreshmanBot (بحث | مشارکتها) جز ←فیلم های نازک آمورف: اصلاح فاصله مجازی با استفاده از AWB |
||
خط ۱۴:
با توجه به استفاده آنها، لایه های فلزی آمورفی نقش مهمی در بحث از یک ابر رسانایی در آهن های آمورف اجرا کرده اند. امروزه، پوشش اپتیکال ساخته شده از TiO<sub>2</sub>, SiO<sub>2</sub>, Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> و ... و ترکیب هایی از آنها در بیشتر موارد از فاز های آمورفی از این ترکیبات تشکیل شده است. تحقیقات زیادی بر روی فیلم های نازک آمورفی به عنوان یک لایه جدا شونده گازی اجرا شده است. از نظر تکنولوژی، مهم ترین فیلم نازک آمورفی، احتمالاً توسط لایه های نازک SiO<sub>2</sub> به قطر چند نانو متر که به عنوان جداساز بر روی کانال هدایت از یک اکسید فلز نیمه هادی ترانزیستور میدان اثر (MOSFET) عمل میکنند، معرفی می شوند. همچنین سیلیکون آمورفی هیدروژنه، برای فیلم نازک سلول های خورشیدی از اهمیت فنی برخوردار است. در مورد یک Si:H نظم بلند دامنه مفقود بین اتم های سیلیکون توسط حضور هیدروژن در بازه درصدی به صورت جزئی القا شده است.
تشکیل فاز های آمورفی به عنوان یک پدیده علاقه خاص برای تحقیق رشد فیلم نازک مشخص شد. نکته قابل توجه این است که رشد فیلم های پلی کریستالی معمولا توسط یک لایه آمورفی اولیه ایجاد و استفاده می شود. قطر آن تنها می تواند چند نانو متر باشد. مثالی که بیشتر مورد بررسی قرار گرفته توسط فیلم های نازک سیلیکونی چند کریستاله همچون
== دسته بندی جامدها به بلوری (کریستالن) و بی شکل (آمورف) ==
|