تحرکپذیری: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
جز ربات: اصلاح فاصله مجازی: "ای" بعد از "ه" |
جز ربات: اصلاح فاصله مجازی |
||
خط ۱:
در [[فیزیک]] تحرکپذیری (mobility) [[الکترون]] یا به طور خلاصه تحرکپذیری کمیتی است که به کمک آن
{{چپچین}}
<math>\,v_d = \mu E</math>
خط ۸:
<math>\,E </math> [[میدان الکتریکی]] اعمال شده بر حسب [[ولت|ولت]] بر [[متر|متر]] (٫V/m)
<math>\, \mu</math> تحرکپذیری بر حسب [[متر مربع|متر مربع]] بر [[ولت|ولت]].[[ثانیه|ثانیه]] (m<sup>2</sup>/V.s) در واحد بین المللی
این مفهوم با عنوان عمومیتر تحرکپذیری الکتریکی برای هر نوع [[بار الکتریکی]] که در یک [[سیال]] و تحت میدان الکتریکی قرار دارد تعریف
در مواد [[نیمه رسانا]] علاوه بر تحرکپذیری الکترون ها تحرکپذیری [[حفره]] نیز قابل اندازهگیری است. تحرکپذیری معمولا به میدان الکتریکی اعمال شده وابسته است و با افزایش [[دما]] افزایش مییابد.
== مفهوم تحرکپذیری ==
هنگامی که [[میدان الکتریکی]] وجود نداشته باشد٫[[الکترون]] ها در [[جامد]]ات (الکترون ها و [[حفره]]ها در [[نیمه هادی]]ها) به صورت [[حرکت براونی| تصادفی حرکت
در نیمههادیها سرعت رانش الکترونها و حفرهها برای یک میدان الکتریکی اعمال شده متفاوت میباشد.
در[[پلاسما]] همین پدیده بین [[یون]]ها و الکترونهای آزاد وجود دارد.
در [[خلأ]] الکترون ها تحت میدان الکتریکی طبق [[قانون دوم نیوتن]] شتاب
در جامدات هم اگر الکترون ها مجبور باشند که مسافتهای خیلی کوتاه (قابل مقایسه با مسافتهای طی شده در [[حرکت براونی]] ) را بپیمایند٫ ممکن است [[انتقال شبه بالیستیکی]] بوجود بیاید.
از آنجا که تحرکپذیری به شدت تحت تأثیر [[ناکاملی بلوری]] و [[دما]] میباشد و باید مقدار آن را به طور تجربی اندازهگیری کرد٫ معمولا برای این کمیت یک عدد ثابت
==رابطه تحرکپذیری و رسانایی الکتریکی==
فرض کنید که ''n'' [[عدد چگالی]] الکترون ها و μ تحرکپذیری آنها باشد. هنگام اعمال میدان الکتریکی '''E''' ٫بردار سرعت الکترون ها به طور متوسط μ'''E''' - خواهد شد و چگالی جریان ایجاد شده از حرکت الکترونها ''ne''μ'''E''' خواهد بود که در آن e [[بار الکترون]] است. در نتیجه هدایت الکتریکی و تحرکپذیری توسط رابطه زیر به یکدیگر مربوط میشوند:
اگر بیش از یک نوع [[بار الکتریکی]] داشته باشیم (برای مثال [[پلاسما]] که حاوی [[یون]]ها و الکترونها میباشد یا [[نیمه هادی]]ها که حاوی الکترونها و [[حفره]]ها هستند) هدایت الکتریکی از رابطه زیر بدست
{{چپچین}} <math>\sigma=\sum_i n_i\mu_i|q_i|</math>
{{پایان چپچین}}
خط ۳۰:
== مثالها ==
در دمای اتاق (۳۰۰K) تحرکپذیری الکترون در [[سیلیسیم]] {{چر}}۱۴۰۰cm<sup>2</sup>/V.s و تحرکپذیری حفره در این ماده حدود {{چر}}۴۵۰cm<sup>2</sup>/V.s است. تحرکپذیری بارها در نیمه رساناهای [[آلی]] ([[پلیمر]]٫[[اولیگومر]]) معمولا پایین و از مرتبه {{چر}}۱۰cm<sup>2</sup>/V.s و حتی پایین تر هستند. تحرکپذیری پایین بارها در نیمهرساناهای آلی از جمله موانعی است که استفاده از آنها در [[سلولهای خورشیدی]] و [[دیود]]های نوری با مشکل مواجه
== منبع ==
|