سلول حافظه: تفاوت میان نسخه‌ها

'''سلول حافظه''' (به {{انگلیسی: '''|Memory Cell''')}} واحد اصلی تشکیل دهنده [[حافظه رایانه|حافظه ی کامپیوتر]] است. سلول حافظه یک [[مدار الکترونیکی]] است که یک [[بیت (رایانه)|بیت]] داده یدادهٔ دودویی را ذخیره می کندمی‌کند. برای ذخیره بیت یک (سطح ولتاژ بالا)، مدار در وضعیت "«تنظیم" (به انگلیسی: Set)»، و برای ذخیره بیت صفر (سطح ولتاژ پایین)، مدار در وضعیت "«تنظیم مجدد" (به انگلیسی: Reset) » قرار می گیردمی‌گیرد. هر مقدار تا رسیدن دستور بعدی باقی می ماندمی‌ماند و قابل خواندن است.

تا به امروز سلول هایسلول‌های حافظه مختلفی مورد استفاده قرار گرفته اند،گرفته‌اند، از جمله [[حافظه مغناطیسی|حافظه یحافظهٔ هسته ای]] و حافظه یحافظهٔ حبابی. امروزه رایج ترینرایج‌ترین سلول حافظه مورد استفاده [[حافظه نیمه‌هادی|حافظه یحافظهٔ MOS (حافظه یحافظهٔ نیمه هادی)]] است که شامل سلول های حافظهسلول‌های یحافظهٔ نیمه رسانای اکسید-فلز است. [[حافظه دسترسی تصادفی|حافظه هایحافظه‌های دسترسی تصادفی]] (RAM: Random Access Memory) از [[ترانزیستور اثر میدان|ترانزیستورهای اثر میدانی]] به عنوان [[فلیپ‌فلاپ]] به همراه خازن هایخازن‌های نیمه رسانای اکسید-فلز استفاده می کنندمی‌کنند.

سلولسلول‌های های حافظه یحافظهٔ SRAM [[حافظه دسترسی تصادفی ایستا|(رَم ایستا)]] درواقع نوعی مدار فلیپ فلاپ است که با کمک [[ماسفت]] های‌های اجرا شده استشده‌است. این حافظه هایحافظه‌های به توان اندکی جهت نگهداری حافظه یحافظهٔ ذخیره شده هنگام اختلال دسترسی نیاز دارند. نوعی دیگر این سلول ها،DRAM ،سلول‌ها،DRAM، [[حافظه تصادفی پویا|(رَم پویا)]] بر اساس خازن هایخازن‌های نیمه هادی اکسید-فلز هستند. شارژ و دشارژ یک خازن مو تواند بمنجر به ذخیره شدن بیت "1۱" و "0۰" شود. شارژ این خازنخازن‌ها ها می تواندمی‌تواند به مرور نشت کند و به همین دلیل احتیاج به تجدید دوره ای دارد. همین دوره یدورهٔ تجدید می تواندمی‌تواند باعث افزایش مصرف انرژی شود. با این وجود، می تواندمی‌تواند به چگالی حافظه بزرگتری دسترسی پیدا کند.

از سوی دیگر، بیشتر [[حافظه غیرفرار|حافظه هایحافظه‌های غیرفرار]] (NVM) بر اساس سلولسلول‌های های حافظه یحافظهٔ ماسفت با گیت شناور ( در این ماسفت ها،ماسفت‌ها، گیت یک الکترود مجزا دارد، که هنگام قطع انرژی همچنان شارژ را در خود نگه می داردمی‌دارد) ساخته شده اندشده‌اند. تکنولوژی حافظه هایحافظه‌های غیر فرار شامل، EEROM، EEROM, EPROM و [[حافظه فلش]] از سلول هایسلول‌های حافظه با گیت شناور استفاده می کنندمی‌کنند.

سلول حافظه واحد اصلی تشکیل دهنده [[حافظه رایانه|حافظه یحافظهٔ کامپیوتر]] است. سلول حافظه را می توانمی‌توان با به کار گیری تکنولوژیکارگیری هایتکنولوژی‌های مختلفی مانند [[ادوات نیم‌رسانا|نیمه هادی هاهادی‌ها]]، [[ماسفت]] و [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی]] ساخت. یکی دیگر از روش هایروش‌های ساخت سلول هایسلول‌های حافظه استفاده از مواد با خاصیت مغناطیسی مانند [[آهنرباهای فریت]] است.<ref>{{یادکرد کتاب|عنوان=Magnetic Memory|نویسنده=Denny D. Tang, Yuan-Jen Lee|ناشر=Cambridge University Press|تاریخ=2010|پیوند=https://books.google.ca/books?id=xsMMWOjFXzAC&dq=ferrite+core+memory+magnetic+bubble&source=gbs_navlinks_s}}</ref>. صرف نظر از تکنولوژی به کار رفته، هدف سلول حافظه دودویی همواره یکسان است. یک بیت داده دودویی با امکان خواندن، ذخیره می شودمی‌شود. بیت یک (سطح ولتاژ بالا)، در وضعیت "«تنظیم"» (به انگلیسی: Set) و بیت صفر (سطح ولتاژ پایین) در وضعیت "«تنظیم مجدد"» (به انگلیسی: Reset) ذخیره می شودمی‌شود.<ref>{{یادکرد وب|عنوان=An engineering approach to digital design : Fletcher, William I. , 1938- : Free Download, Borrow, and Streaming|نشانی=https://archive.org/details/engineeringappro00fle_wur|وبگاه=Internet Archive|بازبینی=2020-08-01|کد زبان=en}}</ref>.

مدارهای منطقی ای که در آن هاآن‌ها سلول حافظه یا مسیر فیدبک وجود نداشته باشند، [[مدار ترکیبی]] خوانده می شوند؛می‌شوند؛ خروجی اینگونه مدارات در لحظه وابسته به مقدار لحظه ای ورودی است. این مدارات فاقد حافظه هستند. این درحالی است که یکی از المان هایالمان‌های کلیدی [[الکترونیک دیجیتال|سیستم هایسیستم‌های دیجیتال]] حافظه است. در کامپیوترها، حافظه امکان ذخیره برنامه هابرنامه‌ها و داده هاداده‌ها را میسر می کند؛ سلولمی‌کند؛ هایسلول‌های حافظه همچنین برای ذخیره موقتی خروجی مدارهای ترکیبی مورد استفاده قرار می گیرندمی‌گیرند تا توسط سیستم هایسیستم‌های دیجیتال مورد استفاده قرار بگیرد. مدارهای منطقی که از سلول حافظه استفاده می کنند،می‌کنند، [[مدارهای ترتیبی]] خوانده می شوندمی‌شوند. خروجی اینگونه مدارها، نه تنها وابسته به مقدار فعلی ورودی است بلکه به وضعیت پیشین مدار که در سلول حافظه ذخیره شده نیز بستگی دارد. این مدارها برای عملکردشان به یک ژنراتور زمان یا ساعت نیاز دارند.<ref>{{یادکرد وب|عنوان=Microelectronic circuits : Sedra, Adel S : Free Download, Borrow, and Streaming|نشانی=https://archive.org/details/microelectronicc0000sedr|وبگاه=Internet Archive|بازبینی=2020-08-01|کد زبان=en}}</ref>.

حافظه کامپیوتر که در سیستم هایسیستم‌های کامپیوتری امروزی مورد استفاده است به طوربه‌طور عمده از سلول هایسلول‌های DRAM ساخته شده استشده‌است. از آنجایی که این حافظه با شارژ و دشارژ خازن کار می کند،می‌کند، مشکلات ناشی از نشت شارژ خازن وجود دارد که منجر به کاهش سرعت این سلولسلول‌ها ها می شودمی‌شود. در حالی که مقادیر سلول هایسلول‌های SRAM همواره در دسترس است و همین موضوع موجب کارکرد این سلول هاسلول‌ها در [[حافظه نهان سی‌پی‌یو]] و [[ریزپردازنده|میکروپروسسورها]] می شودمی‌شود.<ref>{{یادکرد وب|عنوان=La Question Technique : le cache, comment ça marche ? {{!}} PCWorld.fr|نشانی=https://web.archive.org/web/20140330034345/http://www.pcworld.fr/materiel/actualites,lqt-cache-cpu-memoire-cache-sram,547751,1.htm|وبگاه=web.archive.org|تاریخ=2014-03-30|بازبینی=2020-08-01}}</ref>.