تحرکپذیری: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
جز ربات: مرتب‌سازی رده‌ها؛ زیباسازی |
جز ربات ردهٔ همسنگ (۲۳) +مرتب+تمیز(۳.۷): + رده:میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی در ماده |
||
خط ۲۵:
فرض کنید که ''n'' [[عدد چگالی]] الکترون‌ها و μ تحرکپذیری آنها باشد. هنگام اعمال میدان الکتریکی '''E''' ٫بردار سرعت الکترون‌ها به طور متوسط μ'''E''' - خواهد شد و چگالی جریان ایجاد شده از حرکت الکترون‌ها ''ne''μ'''E''' خواهد بود که در آن e [[بار الکترون]] است. در نتیجه هدایت الکتریکی و تحرکپذیری توسط رابطه زیر به یکدیگر مربوط می‌شوند:
اگر بیش از یک نوع [[بار الکتریکی]] داشته باشیم (برای مثال [[پلاسما]] که حاوی [[یون|یونها]] و الکترون‌ها می‌باشد یا [[نیمه هادی|نیمه هادیها]] که حاوی الکترون‌ها و [[حفره|حفرهها]] هستند) هدایت الکتریکی از رابطه زیر بدست می‌آید:
{{
{{پایان
که در آن بار نوع iام دارای عدد چگالی ''n''<sub>i</sub> ٫بار ''q''<sub>i</sub> و تحرکپذیری μ<sub>i</sub> است.
== مثال‌ها ==
در دمای اتاق (۳۰۰K) تحرکپذیری الکترون در [[سیلیسیم]] {{چر}}۱۴۰۰cm<sup>2</sup>/V.s و تحرکپذیری حفره در این ماده حدود {{چر}}۴۵۰cm<sup>2</sup>/V.s است. تحرکپذیری بارها در نیمه رساناهای [[آلی]] ([[پلیمر]]٫[[اولیگومر]]) معمولاً پایین و از مرتبه {{چر}}۱۰cm<sup>۲</sup>/V.s و حتی پایین تر هستند. تحرکپذیری پایین بارها در نیمه‌رساناهای آلی از جمله موانعی است که استفاده از آنها در [[سلولهای خورشیدی]] و [[دیود|
==
{{پانویس}}
* ویکی‌پدیای انگلیسی: [http://en.wikipedia.org/wiki/Electron_mobility electron mobility]
سطر ۳۹ ⟵ ۴۰:
[[رده:فیزیک ماده چگال]]
[[رده:کمیت‌های فیزیکی]]
[[رده:میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی در ماده]]
[[رده:نیمه‌رساناها]]
| |||