حافظه رایانه: تفاوت میان نسخه‌ها

محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Greenstruck (بحث | مشارکت‌ها)
بدون خلاصۀ ویرایش
Greenstruck (بحث | مشارکت‌ها)
بدون خلاصۀ ویرایش
خط ۱۳:
* [[حافظه دسترسی تصادفی]] (به انگلیسی: Random Access Memory یا RAM)
* [[حافظه فقط خواندنی]] (به انگلیسی: Read Only Memory یا ROM)
 
=== حافظه خواندنی/ نوشتنی ( RWM / RAM ) ===
همان طور که از نام این[[حافظه نوعدسترسی حافظهتصادفی]] (به انگلیسی: RAM) پیداست، [[واحد پردازشگرپردازنده مرکزی|پردازنده]] می‌تواند هم در این نوع حافظه بنویسد و هم از آنها بخواند. به طور کلی، برنامه‌ها و(به انگلیسی: Codes)، دستورالعمل‌ها (به انگلیسی: Instructions)، و داده‌هایی (به انگلیسی: Data) در این حافظه قرار می‌گیرند که پردازشگر بخواهد بر روی آنها کاری انجام دهد. به این نوع حافظه ها، (( '''حافظه فرار ))فَرّار''' نیز می‌گویند زیرا با قطع برق، محتویات آن‌ها از بین می‌رود. RAMها اغلباًغالباً دو نوع اند :
 
:* '''DRAM'''
(RAMدینامیک ) : در این نوع حافظه اطلاعات به طور اتوماتیک توسط رایانه تازه (به انگلیسی:Refresh) می‌شوند. به دلیل چگالی بیشتر داده‌ها و ارزان بودن RAM دینامیک پراستفاده است .
 
:* '''SRAM'''
(RAMاستاتیک ) : سرعت این نوع حافظه بالاتر از نوع دینامیک است. از این نوع RAM در [[حافظه پنهاننهان یاسی‌پی‌یو|حافظه نهان]] (به انگلیس:Cache) که بین حافظه اصلی و پردازشگرپردازنده قرار دارد، استفاده می‌شود .
 
===حافظه فقط خواندنی===
همانگونه که از نام [[حافظه فقط خواندنی]] (به انگلیسی: ROM) مستفاد میشود، [[واحد پردازنده مرکزی|پردازنده]] نمیتواند به صورت خودکار اطلاعات موجود در این نوع حافظه را تغییر دهد، بلکه فقط می‌تواند آن را بخواند. هنگام خاموش شدن [[رایانه]] نیز این اطلاعات از بین نمی‌رود و ثابت می ماند. [[بایوس|سامانهٔ ورودی/خروجیِ پایه]] (به انگلیسی: Basic Input/Output System یا BIOS)که وظیفه تنظیمات ساختاری سخت‌افزاری رایانه و همچنین آزمایش و راه اندازی قسمت‌های گوناگون رایانه را به هنگام روشن شدن سیستم برعهده دارد در این نوع حافظه قرار داده می‌شود.
 
===ساخت مدارهای منطقی به کمک ROM و تراشه‌های همانند===
سطر ۱۶۵ ⟵ ۱۷۴:
:برای پاک کردن سلول این حافظه مشابه E2PROM عمل می‌شود. بدین طریق که ولتاژ مثبت بالایی به پایانه Source ترانزیستور وصل شده و دریچه کنترلی به زمین وصل می‌شود. میدان الکتریکی حاصل شده در این حالت سبب می‌شود که بار الکتریکی ذخیره شده در دریچه شناور از منطقه اکسید نازک عبور کرده ( Fowler-Nordheim Tunneling) واز طریق Source به زمین برود. در زمان پاک کردن ولتاژ مثبت بالا همزمان به Source تمام سلولها متصل می‌شود و در نتیجه تمام سلولها با هم پاک می‌شوند. در حالت پاک شده چون دریچه شناور خالی از الکترون است، در نتیجه ترانزیستور روشن بوده و سلول حالت یک منطقی را از خود نشان خواهد داد .
 
 
=== حافظه خواندنی/ نوشتنی ( RWM / RAM ) ===
همان طور که از نام این نوع حافظه پیداست، واحد پردازشگر می‌تواند هم در این نوع حافظه بنویسد و هم از آنها بخواند. به طور کلی، برنامه‌ها و دستورالعمل‌ها و داده‌هایی در این حافظه قرار می‌گیرند که پردازشگر بخواهد بر روی آنها کاری انجام دهد. به این نوع حافظه ها، (( حافظه فرار )) نیز می‌گویند زیرا با قطع برق، محتویات آن‌ها از بین می‌رود. RAMها اغلباً دو نوع اند :
 
:* '''DRAM'''
(RAMدینامیک ) : در این نوع حافظه اطلاعات به طور اتوماتیک توسط رایانه Refresh می‌شوند. به دلیل چگالی بیشتر داده‌ها و ارزان بودن RAM دینامیک پراستفاده است .
 
:* '''SRAM'''
(RAMاستاتیک ) : سرعت این نوع حافظه بالاتر از نوع دینامیک است. از این نوع RAM در حافظه پنهان یا Cache که بین حافظه اصلی و پردازشگر قرار دارد، استفاده می‌شود .
 
==حافظه جانبی==