تفاوت میان نسخه‌های «ترانزیستور اثر میدان»

جز
ربات: حذف میان‌ویکی موجود در ویکی‌داده: ۳۷ میان‌ویکی
جز (r2.7.2+) (ربات: افزودن jv:Transistor efek–medan)
جز (ربات: حذف میان‌ویکی موجود در ویکی‌داده: ۳۷ میان‌ویکی)
== اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان ==
در مقایسه با [[ترانزیستورهای پیوندی]]، ترانزیستورهای اثر میدان را می‌توان یک وسیلهٔ حساس به ولتاژ دانست که [[امپدانس]] ورودی آن بسیاربسیار زیاد (در حدود ۱۰<sup>۱۴</sup> [[اهم]]) و امپدانس خروجی‌اش نیز به‌نسبت زیاد است. ماسفت‌ها در مقایسه با [[بی‌جی‌تی]]‌ها بسیار کوچکند به طوری که تنها ۱۰ تا ۲۰ درصد از فضای اشغال‌شده در توسط آن‌ها را اشغال می‌کنند و بنابراین در یک [[تراشه]] تعدادی زیادی ماسفت را می‌توان جای داد و به همین خاطر است که ماسفت‌ها کاربرد گسترده‌ای در [[یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس]] دارند. تفاوت دیگر ماسفت‌ها با ترانزیستورهای پیوندی در این است که ماسفت‌ها در بازه‌ای از گسترهٔ عملکردشان مانند یک مقاومت کنترل‌شده با ولتاژ عمل می‌کنند و نسبت به آی‌سی‌های مقاومتی مشابه جای کمتری در تراشه‌ها می‌گیرند. ویژگی سوم ماسفت‌ها مقاومت بسیار زیاد ورودی‌شان است؛ این ویژگی بدین معنا خواهد بود که ثابت زمانی مدار ورودی به قدری بالا است که اجازه می‌دهد بار الکتریکی ذخیره‌شده در خازن کوچک ورودی برای مدت طولانی باقی بماند و بتوان از آن به عنوان یک ابزار ذخیره‌سازی در مدارهای دیجیتال استفاده کرد. ویژگی چهارم ماسفت‌ها قابلیتشان در مصارف توان‌بالا است که می‌توانند جریان‌ها زیاد را در چند نانوثانیه کلیدزنی کنند که این مدت نسبت به آنچه در بی‌جی‌تی‌ها امکان‌پذیر است بسیار سریع‌تر است. ویژگی چهارم امکان استفاده از ماسفت‌ها را در مدارهای فرکانس‌بالایِ توان‌بالا ممکن می‌سازد.<ref>{{پک|Schilling|۱۹۸۷|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ف=The Field-Effect Transistor|ص=۱۳۴}}</ref> مزیت دیگر ماسفت‌ها در مدارهای دیجیتال این است که توان مصرفی آن‌ها در حالت خاموش تقریباً صفر است.<ref>{{پک|Schilling|۱۹۸۷|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ف=The Field-Effect Transistor|ص=۱۳۵}}</ref>
 
 
==جستارهای وابسته==
* [[ماسفت]]
* [[ترانزیستور پیوندی اثر میدان]]
 
 
== منابع ==
[[رده:قطعات الکتریکی]]
[[رده:ادوات نیمه هادی]]
 
[[ar:مقحل حقلي]]
[[be:Палявы транзістар]]
[[be-x-old:Палявы транзыстар]]
[[bg:Полеви транзистор]]
[[bn:ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]]
[[ca:Transistor d'efecte camp]]
[[cs:Unipolární tranzistor]]
[[da:Felteffekttransistor]]
[[de:Feldeffekttransistor]]
[[en:Field-effect transistor]]
[[es:Transistor de efecto campo]]
[[et:Väljatransistor]]
[[ext:FET]]
[[fi:Kanavatransistori]]
[[fr:Transistor à effet de champ]]
[[id:Transistor efek–medan]]
[[it:Transistor a effetto di campo]]
[[ja:電界効果トランジスタ]]
[[jv:Transistor efek–medan]]
[[ko:장효과 트랜지스터]]
[[lt:Lauko tranzistorius]]
[[lv:Lauktranzistors]]
[[mk:Транзистор со ефект на поле]]
[[mn:Оронгийн транзистор]]
[[nl:Veldeffecttransistor]]
[[pl:Tranzystor polowy]]
[[pt:Transistor de efeito de campo]]
[[ro:Tranzistor unipolar]]
[[ru:Полевой транзистор]]
[[sk:Tranzistor riadený poľom]]
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]]
[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]]
[[sv:Fälteffekttransistor]]
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]]
[[tr:Alan etkili transistör]]
[[uk:Польовий транзистор]]
[[zh:场效应管]]
۳٬۹۸۵٬۶۰۰

ویرایش