پرونده:TyNiemeyerDolanTechnique.png
اندازهٔ این پیشنمایش: ۴۸۵ × ۶۰۰ پیکسل. کیفیتهای دیگر: ۱۹۴ × ۲۴۰ پیکسل | ۳۸۸ × ۴۸۰ پیکسل | ۶۲۱ × ۷۶۸ پیکسل | ۸۲۸ × ۱٬۰۲۴ پیکسل | ۱٬۷۰۴ × ۲٬۱۰۸ پیکسل.
پروندهٔ اصلی (۱٬۷۰۴ × ۲٬۱۰۸ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۱۰۳ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/png)
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
---|---|---|---|---|---|
کنونی | ۱۲ اکتبر ۲۰۰۵، ساعت ۱۵:۳۴ | ۱٬۷۰۴ در ۲٬۱۰۸ (۱۰۳ کیلوبایت) | DrTorstenHenning | {{English}} Niemeyer-Dolan (angular evaporation) technique for the fabrication of single electron transistors. '''a''': Side view, cut along the current path. '''b''': Side view, cut perpendicular to the current path, and showing the resist mask and the l |
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده میکند:
کاربرد سراسری پرونده
ویکیهای دیگر زیر از این پرونده استفاده میکنند:
- کاربرد در ca.wikipedia.org
- کاربرد در en.wikipedia.org
- کاربرد در ru.wikipedia.org