گسیل میدانی الکترون

گسیل الکترون‌های ناشی از میدان الکترواستاتیک

گسیل میدانی الکترون (به انگلیسی: Field electron emission) عبارت است از گسیل الکترون از سطح یک فلز در حضور میدان الکتریکی خارجی.

مطالعه بیشتر

اطلاعات عمومی

  • W. Zhu, ed. (2001). Vacuum Microelectronics. Wiley, New York.
  • G.N. Fursey (2005). Field Emission in Vacuum Microelectronics. Kluwer Academic, New York. ISBN 0-306-47450-6.

نفوذ به میدان و خم شدن نوار (نیم‌رسانا)

  • Seiwatz, Ruth; Green, Mino (1958). "Space Charge Calculations for Semiconductors". Journal of Applied Physics. 29 (7): 1034. Bibcode:1958JAP....29.1034S. doi:10.1063/1.1723358.
  • A. Many, Y. Goldstein, and N.B. Grover, Semiconductor Surfaces (North Holland, Amsterdam, 1965).
  • W. Mönsch, Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1995).
  • Peng, Jie; Li, Zhibing; He, Chunshan; Chen, Guihua; Wang, Weiliang; Deng, Shaozhi; Xu, Ningsheng; Zheng, Xiao; Chen, GuanHua; Edgcombe, Chris J.; Forbes, Richard G. (2008). "The roles of apex dipoles and field penetration in the physics of charged, field emitting, single-walled carbon nanotubes". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. 104 (1): 014310. arXiv:cond-mat/0612600. doi:10.1063/1.2946449. ISSN 0021-8979.

میدان گسیلیده بار-فضایی خلاء

گسیل میدان در دمای بالا و گسیل میدان-نوری

گسیل الکترون‌های پکشی میدان-القاء‌شده

  • G.A. Mesyats, Explosive Electron Emission (URO Press, Ekaterinburg, 1998),

نگارخانه