کلکتور مشترک: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Freshman404 (بحث | مشارکتها) |
Freshman404 (بحث | مشارکتها) تکمیل |
||
خط ۱:
[[پرونده:NPN_emitter_follower.svg|بندانگشتی|چپ|150px|یک ترانزیستور NPN که به صورت اتصال کلکتور مشترک بسته شده است.]]
در [[الکترونیک]] برای ساخت [[تقویت کننده]] از روش‌های مختلفی استفاده می‌شود که از جملهٔ آنها استفاده از [[ترانزیستور]] [[BJT]] است، که خود شامل شیوه‌های مختلفی برای اتصال ورودی و خروجی به سه سر ترانزیستور است. یکی از این روش‌ها، روش '''اتصال کلکتور مشترک''' یا '''امیتر پیرو''' {{انگلیسی|emitter follower}} است.
[[Image:PNP emitter follower.svg|thumb|150px|یک ترانزیستور PNP که به صورت اتصال کلکتور مشترک بسته شده است.]]
==بهره==
بهرهٔ این نوع ترانزیستور معمولاً کمی کمتر از یک است. به همین دلیل معمولاً به عنوان یک [[بافر]] در نظر گرفته می شود.
: <math>
{A_\mathrm{v}} = {v_\mathrm{out} \over v_\mathrm{in}} \approx 1
سطر ۲۴ ⟵ ۲۶:
</math>
چراکه بتا معمولاً عدد بزرگی است.
[[Image:Voltage follower.svg|thumb|302px|یک کاربرد عملی از اتصال کلکتور مشترک]]
==مشخصات==
سطر ۵۵ ⟵ ۵۸:
که در آن <math>R_\mathrm{source} \ </math>، [[مقاومت معادل تونن]] است.
==مدل سیگنال کوچک==
در الکترونیک معمولاً این نوع مدارها را به دو شیوه تحلیل و بررسی می کنند:
[[Image:Voltage follower small-signal.svg|thumb|300px|مدل [[هایبرید پای]] مدار شکل بالا]]
[[Image:Voltage follower output resistance.svg|300px |thumb|همان مدار شکل قبل که یک منبع تست برای پیدا کردن مقدار مقاومت خروجی به آن اضافه شده است.]]
#سیگنال بزرگ(تحلیل بایاس یا DC)
#سیگنال کوچک(تحلیل ac)
:<math>(\beta+1)\frac{v_\mathrm{in}-v_\mathrm{out}}{R_\mathrm{S}+r_{\pi}} = v_\mathrm{out}\left(\frac{1}{R_\mathrm{L}} + \frac{1}{r_\mathrm{O}}\right) \ . </math>
با استفاده از تعاریف زیر:
:<math> \frac{1}{R_\mathrm{E}} = \frac{1}{R_\mathrm{L}} + \frac{1}{r_\mathrm{O}} </math>
:<math>R=\frac{R_\mathrm{S}+r_{\pi}}{\beta+1} \ . </math>
می توان بهره را به صورت زیر نوشت:
:<math>A_\mathrm{v} = \frac{v_\mathrm{out}}{v_\mathrm{in}} = \frac{1}{1+\frac{R}{R_\mathrm{E}}} \ . </math>
همچنین مقاومت ورودی را می توان به شکل زیر نوشت:
:<math>R_\mathrm{in} = \frac{v_\mathrm{in}}{i_\mathrm{b}} = \frac{R_\mathrm{S}+r_{\pi}}{1-A_\mathrm{v}} \ </math>
::<math>=\left(R_\mathrm{S}+r_{\pi}\right)\left(1+\frac{R_\mathrm{E}}{R}\right ) \ </math>
::<math> = R_\mathrm{S}+r_{\pi} +(\beta+1)R_\mathrm{E} \ . </math>
با قرار دادن یک [[منبع جریان]] تست(همان طور که در شکل روبرو نشان داده شده است) می توان مقاومت خروجی را به شکل زیر پیدا کرد:
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} \ . </math>
با استفاده از قانون اهم خواهیم داشت:
:<math>(\beta+1)i_\mathrm{b} = i_\mathrm{x}-\frac{v_\mathrm{x}}{R_\mathrm{E}} \ , </math>
:<math> v_\mathrm{x} = i_\mathrm{b} \left( R_\mathrm{S}+r_{\pi} \right) \ . </math>
با استفاده از مقادیر بدست آمده می توان مقاومت خروجی را به شکل زیر بازنویسی کرد:
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} = R \parallel R_\mathrm{E} \ , </math>
== جستارهای وابسته ==
* [[اتصال امیتر مشترک]]
* [[اتصال بیس مشترک]]
* [[اتصال درین مشترک]]
* [[اتصال سورس مشترک]]
* [[اتصال گیت مشترک]]
* [[ترانزیستور اثرمیدانی]]
* [[ترانزیستور BJT]]
== منابع ==
{{پانویس}}
*{{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=Razavi |نام=Behzad |کتاب=Fundamentals of Microelectronics | ناشر= |سال=}}
*{{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=Sedra-Smith |نام= |کتاب=Microelectronic Circuits | ناشر= |سال=}}
==پیوند به بیرون==
{{چپ‌چین}}
* [http://people.deas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_amps/bjt_amps.html R Victor Jones: ''Basic BJT Amplifier Configurations'']
* [http://230nsc1.phy-astr.gsu.edu/hbase/electronic/npncc.html NPN Common Collector Amplifier]
* [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab1_bjt/lab1_bjt_transistor_basics.pdf Theodore Pavlic: ECE 327: Transistor Basics; part 6: ''npn Emitter Follower'']
*[http://www.phys.ualberta.ca/~gingrich/phys395/notes/node86.html Doug Gingrich: ''The common collector amplifier'' U of Alberta ]
*[http://zebu.uoregon.edu/~rayfrey/431/lab3_431.pdf Raymond Frey: ''Lab exercises'' U of Oregon]
{{پایان چپ‌چین}}
{{تقویت‌کننده‌های ترانزیستوری}}
| |||