کلکتور مشترک: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
Freshman404 (بحث | مشارکتها) |
Freshman404 (بحث | مشارکتها) |
||
خط ۳:
[[Image:PNP emitter follower.svg|thumb|150px|یک ترانزیستور PNP که به صورت اتصال کلکتور مشترک بسته شده است.]]
== بهره ==▼
بهرهٔ این نوع ترانزیستور معمولاً کمی کمتر از یک است. به همین دلیل معمولاً به عنوان یک [[بافر]] در نظر گرفته
▲==بهره==
▲بهرهٔ این نوع ترانزیستور معمولاً کمی کمتر از یک است. به همین دلیل معمولاً به عنوان یک [[بافر]] در نظر گرفته می شود.
: <math>
{A_\mathrm{v}} = {v_\mathrm{out} \over v_\mathrm{in}} \approx 1
</math>
== مقاومت ورودی و خروجی ==
مقاومت دیده شده از ورودی به شکل زیر خواهد بود:
: <math>
سطر ۲۱ ⟵ ۲۰:
</math>
که به صورت
: <math>
r_\mathrm{out} \approx {R_\mathrm{source} \over \beta_0}
سطر ۲۸ ⟵ ۲۷:
[[Image:Voltage follower.svg|thumb|302px|یک کاربرد عملی از اتصال کلکتور مشترک]]
== مشخصات ==
{| class="wikitable" style="background:white;text-align:left"
!
|-
! '''[[بهره جریان]]'''
سطر ۴۶ ⟵ ۴۵:
! '''[[مقاومت ورودی]]'''
|<math> r_\mathrm{in} = \frac{v_\mathrm{in}}{i_\mathrm{in}}</math>
|<math> r_\pi + (\beta_0 + 1) R_\mathrm{E}\
|<math> \approx \beta_0 R_\mathrm{E} </math>
|<math> (g_m R_\mathrm{E} \gg 1) \wedge (\beta_0 \gg 1) </math>
سطر ۵۲ ⟵ ۵۱:
! '''[[مقاومت خروجی]]'''
|<math> r_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{out}}{i_\mathrm{out}}</math>
|<math> R_\mathrm{E} \parallel \left(
|<math> \approx {1 \over g_m} + {R_\mathrm{source} \over \beta_0}</math>
|<math> (\beta_0 \gg 1) \wedge (r_\mathrm{in} \gg R_\mathrm{source})</math>
سطر ۵۹ ⟵ ۵۸:
که در آن <math>R_\mathrm{source} \ </math>، [[مقاومت معادل تونن]] است.
== مدل سیگنال کوچک ==
در الکترونیک معمولاً این نوع مدارها را به دو شیوه تحلیل و بررسی
[[Image:Voltage follower small-signal.svg|thumb|300px|مدل [[هایبرید پای]] مدار شکل بالا]]
[[Image:Voltage follower output resistance.svg|300px |thumb|همان مدار شکل قبل که یک منبع تست برای پیدا کردن مقدار مقاومت خروجی به آن اضافه شده است.]]
# سیگنال بزرگ (تحلیل بایاس یا DC)
# سیگنال کوچک (تحلیل ac)
:<math>(\beta+1)\frac{v_\mathrm{in}-v_\mathrm{out}}{R_\mathrm{S}+r_{\pi}} = v_\mathrm{out}\left(\frac{1}{R_\mathrm{L}} + \frac{1}{r_\mathrm{O}}\right) \
با استفاده از تعاریف زیر:
:<math> \frac{1}{R_\mathrm{E}} = \frac{1}{R_\mathrm{L}} + \frac{1}{r_\mathrm{O}} </math>
:<math>R=\frac{R_\mathrm{S}+r_{\pi}}{\beta+1} \
:<math>A_\mathrm{v} = \frac{v_\mathrm{out}}{v_\mathrm{in}} = \frac{1}{1+\frac{R}{R_\mathrm{E}}} \
همچنین مقاومت ورودی را
:<math>R_\mathrm{in} = \frac{v_\mathrm{in}}{i_\mathrm{b}} = \frac{R_\mathrm{S}+r_{\pi}}{1-A_\mathrm{v}} \
::<math>=\left(R_\mathrm{S}+r_{\pi}\right)\left(1+\frac{R_\mathrm{E}}{R}\right
::<math> = R_\mathrm{S}+r_{\pi} +(\beta+1)R_\mathrm{E} \
با قرار دادن یک [[منبع جریان]] تست (همان طور که در شکل روبرو نشان داده شده است)
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} \
با استفاده از قانون اهم خواهیم داشت:
:<math>(\beta+1)i_\mathrm{b} = i_\mathrm{x}-\frac{v_\mathrm{x}}{R_\mathrm{E}} \ , </math>
:<math> v_\mathrm{x} = i_\mathrm{b} \left(
با استفاده از مقادیر بدست آمده
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} = R \parallel R_\mathrm{E} \ , </math>
سطر ۹۸ ⟵ ۹۷:
{{پانویس}}
{{چپچین}}
* {{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=Razavi |نام=Behzad |کتاب=Fundamentals of Microelectronics | ناشر= |سال=}}
* {{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=Sedra-Smith |نام= |کتاب=Microelectronic Circuits | ناشر= |سال=}}
{{پایان چپچین}}
== پیوند به بیرون ==
{{چپچین}}
* [http://people.deas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_amps/bjt_amps.html R Victor Jones: ''Basic BJT Amplifier Configurations'']
* [http://230nsc1.phy-astr.gsu.edu/hbase/electronic/npncc.html NPN Common Collector Amplifier]
* [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab1_bjt/lab1_bjt_transistor_basics.pdf Theodore Pavlic: ECE 327: Transistor Basics; part 6: ''npn Emitter Follower'']
* [http://www.phys.ualberta.ca/~gingrich/phys395/notes/node86.html Doug Gingrich: ''The common collector amplifier'' U of Alberta ]
* [http://zebu.uoregon.edu/~rayfrey/431/lab3_431.pdf Raymond Frey: ''Lab exercises'' U of Oregon]
{{پایان چپچین}}
{{تقویتکنندههای ترانزیستوری}}
|