کلکتور مشترک: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
جز ربات ردهٔ همسنگ (۲۶) +مرتب+تمیز (۹.۱): + رده:ترانزیستورهای تقویتکننده تک طبقه |
Freshman404 (بحث | مشارکتها) ←مدل سیگنال کوچک: اصلاح نوشتار ریاضی |
||
خط ۵۹:
== مدل سیگنال کوچک ==
در الکترونیک معمولاً این نوع مدارها را به دو شیوه تحلیل و بررسی
[[
[[
# سیگنال بزرگ (تحلیل بایاس یا DC)▼
#
:<math>(\beta+1)\frac{v_\mathrm{in}-v_\mathrm{out}}{R_\mathrm{S}+r_{\pi}} = v_\mathrm{out}\left(\frac{1}{R_\mathrm{L}} + \frac{1}{r_\mathrm{O}}\right) \ . </math>
با استفاده از تعاریف زیر:
:<math> \frac{1}{R_\mathrm{E}} = \frac{1}{R_\mathrm{L}} + \frac{1}{r_\mathrm{O}} </math>
:<math>R=\frac{R_\mathrm{S}+r_{\pi}}{\beta+1} \ . </math>
:<math>A_\mathrm{v} = \frac{v_\mathrm{out}}{v_\mathrm{in}} = \frac{1}{1+\frac{R}{R_\mathrm{E}}} \ . </math>
همچنین مقاومت ورودی را
:<math>R_\mathrm{in} = \frac{v_\mathrm{in}}{i_\mathrm{b}} = \frac{R_\mathrm{S}+r_{\pi}}{1-A_\mathrm{v}} \ </math>
::<math>=\left(R_\mathrm{S}+r_{\pi}\right)\left(1+\frac{R_\mathrm{E}}{R}\right ) \ </math>
::<math> = R_\mathrm{S}+r_{\pi} +(\beta+1)R_\mathrm{E} \ . </math>
با قرار دادن یک [[منبع جریان]] تست
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} \ . </math>
با استفاده از قانون اهم خواهیم داشت:
:<math>(\beta+1)i_\mathrm{b} = i_\mathrm{x}-\frac{v_\mathrm{x}}{R_\mathrm{E}} \ , </math>
:<math> v_\mathrm{x} = i_\mathrm{b} \left( R_\mathrm{S}+r_{\pi} \right) \ . </math>
با استفاده از مقادیر بدست آمده
:<math> R_\mathrm{out} = \frac{v_\mathrm{x}}{i_\mathrm{x}} = R \parallel R_\mathrm{E} \ , </math>
|