میدان مغناطیسی: تفاوت میان نسخه‌ها

[[پرونده: Magnet0873.png|بندانگشتی|چپ|200px| خطوط میدان مغناطیسی با براده‌های [[آهن]] نشان داده شده‌اند. تراوایی زیادی که هریک از براده‌های [[آهن]] دارند موجب ایجاد میدان مغناطیسی بزرگ‌تری در انتهای هر براده شده‌است. این باعث می‌شود هریک از براده‌ها یکدیگر را جذب کنند که یک مجموعه ممتدی به وجود می‌آید که شکل «خط» به خود می‌گیرد. انتظار نمی‌رود که این «خط»‌ها ها همان خطوط میدان مغناطیسی [[آهنربا]] باشند زیرا میدان مغناطیسی براده‌ها مقداری در میدان [[آهنربا]] تأثیر می‌گذارد.]]

به بیان ساده‌تر '''میدان مغناطیسی''' حاصل تأثیر دو [[میدان الکتریکی]] (مثلاً دو بار مثبت و منفی) بر روی هم است که منجر به درست شدن یک میدان مغناطیسی می‌شود.

به بیانی دیگر میدان مغناطیسی میدانی است که توسط یک جسم مغناطیسی یا ذرات، یا با تغییر میدان الکتریکی، تولید شده‌است<ref name="Durney, Carl H. and Johnson, Curtis C. 1969">{{cite book | author=Durney, Carl H. and Johnson, Curtis C. | title=Introduction to modern electromagnetics | publisher=[[مک‌گرا-هیل|McGraw Hill Financial]] |year=1969 |isbn=0-07-018388-0}}</ref> و توسط نیرویی که روی دیگر مواد مغناطیسی یا حرکت بار الکتریکی اعمال می‌شود شناسایی می‌شود. میدان مغناطیسی در هر نقطهٔ داده شده توسط هر دو پارامتر جهت و شدت (یا مقاومت) مشخص می‌شود، که به عنوان یک میدان برداری شناخته می‌شود.<ref>{{cite book | authorname="Durney, Carl H. and Johnson, Curtis C. | title=Introduction to modern electromagnetics | publisher=[[مک‌گرا-هیل|McGraw Hill Financial]] |year=1969 |isbn=0-07-018388-0}}<"/ref>

میدان مغناطیسی برای دو میدان برداری مختلف استفاده می‌شود، که میدان‌های [[میدان مغناطیسی B|B]] و [[میدان مغناطیسی H|H]] نامیده می‌شوند توجه<ref name="Griffiths, David J. 1999">{{cite book | author=Griffiths, David J. | title=Introduction to Electrodynamics (3rd ed.)| publisher=[[Prentice Hall]] |year=1999 |isbn=0-13-805326-X | oclc=40251748}}</ref> بسیاری از نام‌های جایگزین برای هر دو وجود دارد) نگاه کنید به جداول زیر) برای اجتناب از اشتباه، در این مقاله از [[میدان مغناطیسی B|میدان B]] و [[میدان مغناطیسی H|میدان H]] استفاده کرده‌است. در هر مورد که هر دوی آن‌ها استفاده شده‌اند از میدان مغناطیسی نام برده شده‌است.

که در آن M مغناطیسی شدن ماده و ''μ''₀ نفوذ پذیری مغناطیسی در فضای خالی است (یا پایداری مغناطیسی).<ref>{{cite book | authorname="Durney, Carl H. and Johnson, Curtis C. | title=Introduction to modern electromagnetics | publisher=[[مک‌گرا-هیل|McGraw Hill Financial]] |year=1969 |isbn=0-07-018388-0}}<"/ref> میدان H با یکای آمپر بر متر در SI.(A/m) و اورستد (Oe) در cgs اندازه‌گیری می‌شود.

نیروی گرانش بین دو آهنربا کاملاً پیچیده و وابسته به قدرت و جهت گیری هر دو آهنربا و وابسته به مسافت و و جهت آهنرباهای متصل به یکدیگر. است. نیرو حساس به چرخش از آهن‌ربا به علت گشتاور مغناطیسی است. نیروی هر آهنربا در هر لحظه بستگی به خود آهنربا و میدان مغناطیسی B<ref>{{cite book | authorname="Griffiths, David J. | title=Introduction to Electrodynamics (3rd ed.)| publisher=[[Prentice Hall]] |year=1999 |isbn=0-13-805326-X | oclc=40251748}}<"/ref> از سوی دیگر، دارد. میدان B یک آهنربا ی کوچک بسیار پیچیده‌تر است.

* در [[دانش در ۲۰۱۳| ژانویه ۲۰۱۳]] [[فیزیکدان ذرات|فیزیکدانان ذرات]] یک [[گاز]] [[کوانتومی]] بر پایه [[پتاسیم]] ساختند. این گاز هنگامی که تحت تأثیر [[لیزر]] و میدان مغناطیسی قرار می‌گیرد به [[دمای منفی|دماهای منفی]] می‌رسد. در این دمای ترمودینامیکی، [[ماده]] شروع به بروز دادن خواص ناشناخته پیشین می‌کند.<ref>{{cite web|url=http://www.wired.co.uk/news/archive/2013-01/04/quantum-gas-below-absolute-zero|title=Quantum gas temperature drops below absolute zero|work=Wired|date=4 January 2013|accessdate=5 February 2013}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.nature.com/news/quantum-gas-goes-below-absolute-zero-1.12146|title=Quantum gas goes below absolute zero|work=Nature|date=3 January 2013|accessdate=5 February 2013}}</ref>