بایاس کردن: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
جز ←جایگزینی با [[وپ:اشتباه|اشتباهیاب]]: عملکر⟸عملکرد، تأیین⟸تعیین، وابستهاند⟸وابستهاند، الکترت⟸الکتریکی، بایاسکننده⟸بایاس کنن... |
بدون خلاصۀ ویرایش برچسبها: حذف منبع ویرایشگر دیداری |
||
خط ۱:
'''بایاس کردن''' در [[الکترونیک]] اعمال [[ولتاژ]] یا [[جریان]] از پیش تعیین شده به نقاط مختلف مدار یا یک قطعه مداری (مثل ترانزیستور) برای
به طور کلی در الکترونیک، قرار دادن یک عنصر مداری (مانند دیود، ترانزیستور و ...) در ناحیه کاری اش بایاس کردن نام دارد. مثلا در استفاده از یک ترانزیستور به عنوان تقویت کننده خطی، لازم است که ولتاژها و جریان های پایه های آن طوری تنظیم شوند که ترانزیستور تا جای ممکن در ناحیه خطی خود کار کرده و باقی بماند. این کار برای جلوگیری از تغییر شکل (اعوجاج) سیگنال تقویت شده بسیار مهم است.
در دیودها، دو اصطلاح بایاس مستقیم و معکوس رایج است؛ در یک دیود ایده آل، وقتی ولتاژ آند از کاتد بیشتر باشد، دیود در بایاس مستقیم (و روشن) است. در غیر این صورت دیود در بایاس معکوس (و خاموش) است.
== اهمیت در مدارهای خطی ==
بخش های مختلف مدارهای خطی که از ترانزیستور استفاده میکنند به
=== ترانزیستور دو قطبی پیوندی ===▼
در ترانزیستور دوقطبی بایاس به گونهای صورت میگیرد که ترانزیستور را با تکنیکهای مختلف با اعمال نقطه کار ولتاژ و جریان دیسی در ناحیه فعال نگه دارد<ref>{{یادکرد وب | تاریخ بازبینی=۲۴ بهمن ۱۳۹۲ | عنوان=Bipolar junction transistor biasing circuits | ناشر=All about circuits | نشانی=http://www.allaboutcircuits.com/worksheets/bjtbias.html}}</ref>.▼
نقطه کار نوعاً حدود وسط خط بار دیسی است. روند رسیدن به جریان و ولتاژ دیسی خاص کلکتور با تنظیم کردن نقطه کار بایاس کردن میگویند.▼
▲=== ترانزیستور دو قطبی پیوندی ===
پارامترهای ترانزیستور به دمای پیوند وابستهاند. با افزایش دمای پیوند، نشت جریان نسبت به حاملهای بار حداقل (ICBO) افزایش مییابد. وقتی ICBO افزایش مییابد، ICEO نیز افزایش مییابد، که موجب میشود جریان کلکتور نیز افزایش یابد. این گرمای پیوند کلکتور را افزایش میدهد. این پروسه تکرار میشود و در نهایت نقطه کار ممکن است به ناحیه اشباع جابجا شود. گاهی، گرمای مازاد ایجاد شده در پیوند ممکن است ترانزیستور را بسوزاند. به این اتفاق {{انگلیسی|Thermal runaway}} گفته میشود.▼
▲در ترانزیستور دوقطبی بایاس به گونهای صورت میگیرد که ترانزیستور را با تکنیکهای مختلف با اعمال نقطه کار ولتاژ و جریان
▲نقطه کار نوعاً حدود وسط خط بار دیسی است. روند رسیدن به جریان و ولتاژ دیسی خاص کلکتور با تنظیم کردن نقطه کار را بایاس کردن میگویند.
▲پارامترهای ترانزیستور به دمای پیوند وابستهاند. با افزایش دمای پیوند، نشت جریان نسبت به حاملهای بار حداقل (ICBO) افزایش مییابد. وقتی ICBO افزایش مییابد، ICEO نیز افزایش مییابد، که موجب
هنگامی که ترانزیستور با یک ترانزیستور دیگر جایگزین میشود، نقطه کار ممکن است به خاطر تغییر پارامترهای ترانزیستور، همچون گین جریان که در هر ترانزیستوری متفاوت است جابجا شود.▼
▲هنگامی که ترانزیستور با یک ترانزیستور دیگر جایگزین میشود، نقطه کار ممکن است به خاطر تغییر پارامترهای ترانزیستور، همچون
== منابع ==
|