|
از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.
علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای [[حافظه اصلی]] در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از [[دیسک سخت]] (Hard disk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.
[https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ خرید فلش مموری] از وسایل مهم امروزی می باشید.
[https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ خرید عمده فلش مموری] و [https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ فروش عمده فلش مموری] از شغل های پر درامد می باشد.
برای [https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ خرید فلش ارزان] سایت های زیادی وجود دارند.
[https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ بهترین مارک فلش مموری] اچ پی است.
[https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ فلش مموری سن دیسک] از معروف ترین فلش مموری های ایران و جهان می باشد.
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام‌گذاری شده‌اند سلول‌های مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به‌طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند.
حافظه فلش تعداد محدودی حلقه نوشتن و پاک کردن را پشتیبانی می‌کند. بیشتر فلش‌های در دسترس ما، به‌طور تضمینی قبل از اینکه تحلیل رفتن حافظه کیفیت آن را پایین بیاورد، حدود ۱۰۰۰۰۰ حلقه نوشتن و پاک کردن را پوشش می‌دهند.
برای کمتر کردن آثار این مشکل در بعضی از سیستم‌ها از روشی استفاده می‌شود که در آن با شمارش تعداد عملیات نوشتن و بازنگاری پویای بلوک‌ها جهت توزیع عملیات نوشتن در بین بخش‌های مختلف، باعث پایین آمدن سطح تحلیل حافظه می‌شویم. این روش یکسان کردن تحلیل نام‌گذاری شده‌است.
در سال ۲۰۱۲، مهندسان تایوانی در [[IEEE]]، نشست دستگاه‌های الکترونی ۲۰۱۲، اعلام کردند که با استفاده از پروسه‌ای به نام خوداصلاحی، موفق شدند تعداد چرخه‌های حافظه [https://mahantahrir.ir/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%88-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%b9%d9%85%d8%af%d9%87-%d9%81%d9%84%d8%b4-%d9%85%d9%85%d9%88%d8%b1%db%8c/ فلش] نند را از ۱۰۰۰۰ به ۱۰۰ میلیون افزایش دهند. نتیجه این پروسه این است که یک تراشه می‌تواند بارها و بارها پاک و دوباره‌نویسی شود، بدون اینکه از کار بیفتد.
=== اختلال در خواندن ===
| 