بایاس کردن: تفاوت میان نسخه‌ها

بخش‌های مختلف مدارهای خطی که از ترانزیستور استفاده می‌کنند، برای عملکرد درست به ولتاژهای [[جریان مستقیم|DC]] احتیاج دارند، که در مدار با استفاده از تقسیم‌کنندۀ ولتاژ مقاومتی پیاده‌می‌شوند. به عنوان مثال در یک [[تقویت‌کننده الکترونیکی|تقویت‌کننده خطی]]، یک سیگنال ورودی منجر به سیگنالی بزرگتر در خروجی می شود که باید شکل آن بدون تغییر بماند.<ref>{{یادکرد وب | تاریخ بازبینی=۲۴ بهمن ۱۳۹۲ | عنوان=Biasing a transistor tutorial | ناشر=Electronics Tutorials | نشانی=http://www.electronics-tutorials.ws/blog/biasing-transistor-tutorial.html | archiveurl=https://web.archive.org/web/20140222195613/http://www.electronics-tutorials.ws/blog/biasing-transistor-tutorial.html | archivedate=۲۲ فوریه ۲۰۱۴ | dead-url=yes }}</ref> در این حالت، تغییرات ورودی موجب تغییرات نقطه کار متناسب با ورودی می‌شود. از آنجایی که ترانزیستور عنصری غیرخطی است، باید به گونه‌ای بایاس شود که تغییرات سیگنال خروجی وارد ناحیه غیر‌خطی شدید آن نشود. برای ترانزیستور دوقطبی این کار با نگه‌داشتن ترانزیستور در ناحیه فعال صورت می‌پذیرد. تقویت‌کننده [[ترانزیستور اثر میدان]] (مانند [[ماسفت|ماس‌فت]]) نیز می‌بایست در ناحیه فعال (یا اشباع) قرار گیرد و وارد نواحی قطع و اهمی (تریود) نشود.